时间：2025/12/28 20:40:20
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P4SMA11A M2G 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的表面贴装（SMA）封装的瞬态电压抑制二极管（TVS）。该器件专门用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、电感负载切换和雷击引起的瞬态电压的影响。P4SMA11A M2G 采用单向结构设计，具有快速响应时间和高浪涌吸收能力，广泛应用于各种通信、工业和消费类电子产品中。
类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）
封装：SMA
方向：单向
工作电压：11V
击穿电压（min）：12.2V
击穿电压（max）：13.5V
最大钳位电压：17.2V
最大反向工作电压：9.6V
最大反向漏电流：10μA
峰值脉冲电流（8/20μs）：19.2A
功率耗散：400W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
P4SMA11A M2G 的核心特性在于其出色的瞬态电压抑制能力。该器件能够在极短时间内（通常小于1纳秒）对瞬态电压做出反应，将其钳制在一个安全水平，从而保护后级电路不受损坏。其单向结构设计使其在正向电压下导通，反向电压下保持高阻态，非常适合用于直流电源和信号线的保护。
此外，P4SMA11A M2G 采用表面贴装 SMA 封装，具有体积小、重量轻、安装方便等优点，适用于自动化生产和高密度电路设计。该器件的峰值脉冲功率可达400W，能够承受较大的瞬态浪涌电流，具有较长的使用寿命和良好的稳定性。
P4SMA11A M2G 主要用于需要瞬态电压保护的电路中，广泛应用于通信设备、计算机外设、消费电子产品、工业控制系统和汽车电子等领域。例如，在以太网接口、USB端口、RS-232串行接口等通信接口中，该器件可有效防止静电放电和瞬态电压对芯片的损害；在电源管理电路中，可用于保护电源模块免受电压突变的影响；在汽车电子系统中，可应用于车载娱乐系统、传感器接口和控制模块等关键部位，提升系统的可靠性和稳定性。
P4SMA12A、SMAJ11A、P6SMB11A
