时间：2025/7/8 23:03:40
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P4NA80FI 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），专为高效率开关应用设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，广泛适用于电源管理、电机驱动、负载切换等场景。
这款 MOSFET 在设计上优化了热性能和电气性能，能够有效降低功耗并提高系统效率。同时，它还具备出色的抗干扰能力和可靠性，适合在恶劣的工业环境中使用。
型号：P4NA80FI
类型：N 沟道 MOSFET
封装：TO-263 (DPAK)
最大漏源电压 Vds：80V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：16A（Tc=25°C）
导通电阻 Rds(on)：7.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷 Qg：18nC（典型值）
开关时间：开启延迟时间 29ns，下降时间 12ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
P4NA80FI 的主要特点是其超低的导通电阻（Rds(on)），仅为 7.5mΩ，这使得该器件能够在大电流条件下保持较低的导通损耗。此外，它的栅极电荷较小，可以实现更快的开关速度，从而减少开关损耗。
由于其采用 TO-263 封装，该器件拥有良好的散热能力，可满足高功率密度应用的需求。P4NA80FI 还具备出色的短路耐受能力，能够在极端条件下提供更高的系统保护水平。
在可靠性方面，该器件经过严格的质量测试，符合汽车级和工业级应用标准，能够适应宽泛的工作温度范围以及复杂的电磁环境。
P4NA80FI 广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于高效 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器。
2. 电机驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机控制。
3. 电池管理系统（BMS）：作为电池充放电路径中的开关元件。
4. 工业自动化：用于负载切换和继电器替代。
5. 汽车电子：支持电动车窗、座椅调节等功能模块。
6. LED 驱动器：用于高亮度 LED 照明系统的恒流控制。
IRLZ44N, FDP15N10, BUK7Y1R8-40E
