时间：2025/8/5 17:42:37
阅读：16
MUBW15-06T7是一款由ROHM Semiconductor生产的高效能、低电压N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，具有优异的导通特性和热稳定性。这款MOSFET主要设计用于需要高效功率转换和管理的应用，如DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关和电机控制电路等。MUBW15-06T7采用紧凑的SOT-23表面贴装封装，便于在高密度PCB设计中使用，同时提供了良好的散热性能。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：150mA（@25°C）
功耗（PD）：200mW
导通电阻（RDS(ON)）：最大6.8Ω（@VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-23
MUBW15-06T7采用了ROHM专有的沟槽式MOSFET结构，确保了低导通电阻和高开关性能。该器件在低电压工作条件下仍能保持稳定性能，适用于电池供电设备和低功耗系统。其SOT-23封装不仅节省空间，而且具有良好的热管理能力，能够在高负载条件下维持稳定运行。此外，MUBW15-06T7具有较高的抗静电能力和可靠性，适用于多种工业和消费类应用。
该MOSFET的栅极设计使其能够承受较高的栅源电压（±20V），从而提高了在复杂工作环境下的耐用性和稳定性。其导通电阻在VGS=10V时保持在6.8Ω以下，确保了高效的电流传输和较低的功率损耗。此外，该器件的开关特性优化，减少了开关损耗并提高了整体能效。
MUBW15-06T7广泛应用于多种电子设备中，包括但不限于：
? DC-DC转换器中的同步整流器
? 电池供电设备中的负载开关
? 低功耗便携式电子产品中的功率管理模块
? 小型电机控制电路
? 各类传感器和执行器的驱动电路
? 工业自动化和控制系统中的小型功率开关
2N7002K, BSS138, FDV301N
