时间：2025/7/2 17:03:07
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RF15N3R6B500CT 是一款高性能的射频 (RF) 场效应晶体管 (FET)，专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备出色的增益、低噪声特性和高线性度，适合用于无线通信、雷达系统和其他高频电子设备中。其封装形式紧凑，能够有效支持高密度电路设计。
类型：射频场效应晶体管
最大耗散功率：50W
击穿电压：20V
栅极漏电流：≤1μA（典型值）
输入阻抗：50Ω
频率范围：DC-4GHz
工作温度范围：-55℃至+125℃
RF15N3R6B500CT 的主要特性包括：
1. 高频率响应能力，支持从直流到 4GHz 的宽频率范围。
2. 低噪声系数，确保在高频段内的信号传输清晰且失真小。
3. 高线性度和稳定性，适用于复杂的调制方案。
4. 具备良好的热性能，能够承受较高的功率输出。
5. 小型化设计，易于集成到现代紧凑型电子设备中。
6. 工作温度范围宽广，能够在恶劣环境中可靠运行。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 无线通信基站中的功率放大器模块。
2. 雷达系统中的信号发射与接收组件。
3. 卫星通信设备中的高频电路。
4. 医疗成像设备中的超声波发射器。
5. 测试测量仪器中的高频信号源。
由于其卓越的射频性能，RF15N3R6B500CT 成为许多高性能应用的理想选择。
RF15N3R6B500CT-A, RF15N3R6B500CT-B
