RF15N3R6B500CT 是一款高性能的射频 (RF) 场效应晶体管 (FET),专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具备出色的增益、低噪声特性和高线性度,适合用于无线通信、雷达系统和其他高频电子设备中。其封装形式紧凑,能够有效支持高密度电路设计。
类型:射频场效应晶体管
最大耗散功率:50W
击穿电压:20V
栅极漏电流:≤1μA(典型值)
输入阻抗:50Ω
频率范围:DC-4GHz
工作温度范围:-55℃至+125℃
RF15N3R6B500CT 的主要特性包括:
1. 高频率响应能力,支持从直流到 4GHz 的宽频率范围。
2. 低噪声系数,确保在高频段内的信号传输清晰且失真小。
3. 高线性度和稳定性,适用于复杂的调制方案。
4. 具备良好的热性能,能够承受较高的功率输出。
5. 小型化设计,易于集成到现代紧凑型电子设备中。
6. 工作温度范围宽广,能够在恶劣环境中可靠运行。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 无线通信基站中的功率放大器模块。
2. 雷达系统中的信号发射与接收组件。
3. 卫星通信设备中的高频电路。
4. 医疗成像设备中的超声波发射器。
5. 测试测量仪器中的高频信号源。
由于其卓越的射频性能,RF15N3R6B500CT 成为许多高性能应用的理想选择。
RF15N3R6B500CT-A, RF15N3R6B500CT-B