P4C164L-45DMB

容量：1 Mbit
　　组织结构：256K x 4位
　　电源电压：5V ± 10%
　　最大访问时间：4.5ns
　　封装类型：28引脚SOJ（Small Outline J-Lead）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）或商业级（0°C至70°C）
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　刷新周期：64ms

P4C164L-45DMB具备多项显著的技术特点。首先，其高速访问时间为4.5纳秒，使得该芯片能够满足对性能要求较高的系统需求。这在早期的图形处理、缓存存储以及实时数据处理应用中尤为重要。
　　其次，P4C164L-45DMB采用了低功耗CMOS工艺，能够在保持高性能的同时有效降低能耗。这对于电池供电设备或对散热有严格要求的应用场合尤其重要。
　　另外，该芯片支持标准的DRAM操作功能，包括行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）和写使能（WE）等控制信号，确保了与多种主控芯片的兼容性。这种设计使得P4C164L-45DMB可以方便地集成到不同的硬件架构中。
　　P4C164L-45DMB还支持自动刷新和自刷新两种模式。自动刷新通过外部控制器定期刷新存储内容，而自刷新则允许芯片在低功耗状态下维持数据完整性，进一步提高了系统的灵活性和可靠性。
　　此外，该芯片的封装形式为28引脚SOJ，这种封装方式不仅提供了良好的电气性能，而且具有较高的机械强度，适合于高振动或恶劣环境下的应用164L-45DMB广泛应用于各种电子系统中。其中一个主要的应用领域是个人计算机和工作站中的高速缓存存储器。由于其较快的访问速度，它可以作为处理器的二级缓存，提升系统的整体响应能力。
　　在嵌入式系统方面，P4C164L-45DMB常用于图像处理模块、通信设备和工业控制系统。例如，在视频采集和显示设备中，该芯片可用于临时存储图像帧数据，从而实现流畅的图像传输和显示。
　　此外，它也被用于一些测试测量仪器和数据采集设备中，用来存储中间计算结果或缓冲数据流。这些应用场景通常要求高稳定性和较长的产品生命周期，而P4C164L-45DMB正好满足这些需求。
　　在某些老旧的网络设备中，如路由器和交换机，P4C164L-45DMB也曾经被用作临时数据存储单元，以提高数据包转发效率。

P4C164L-55DMB, P4C164L-55JI, CY7C199-10PC, IDT48S1651A3B4-6G