IXTT170N10P 时间：2025/10/31 0:10:49 阅读：25

IXTT170N10P是一款由IXYS公司生产的高性能N沟道功率MOSFET，广泛应用于高效率电源转换和功率开关系统中。该器件采用先进的平面栅极技术制造，具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热稳定性，适合在严苛的工作环境下稳定运行。IXTT170N10P的额定电压为100V，能够支持高达170A的连续漏极电流，使其成为大功率DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及工业电源等应用的理想选择。其封装形式为TO-263（D2PAK）表面贴装型，有助于提高PCB布局的灵活性并增强散热性能。由于其优异的开关特性与鲁棒性，IXTT170N10P常用于需要快速开关响应和低功耗损耗的现代电力电子系统中。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持可靠性，提升了整体系统的安全性和耐用性。

参数

型号：IXTT170N10P
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：170 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：510 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）@max：6.8 mΩ @ Vgs = 10 V
　　导通电阻（Rds(on)）@typ：5.6 mΩ @ Vgs = 10 V
　　栅极电荷（Qg）：160 nC @ Vgs = 10 V
　　输入电容（Ciss）：9000 pF @ Vds = 50 V
　　开启延迟时间（td(on)）：35 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：45 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装：TO-263 (D2PAK)

特性

IXTT170N10P具备出色的电气性能和热管理能力，其核心优势之一是极低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为5.6mΩ，在高电流应用中可显著降低传导损耗，提升系统效率。这种低Rds(on)特性得益于IXYS专有的平面MOSFET工艺，优化了载流子迁移路径，减少了内部电阻分量。同时，该器件在高温下仍能维持较高的电流输出能力，热阻（Rth j-amb）较低，配合良好的PCB散热设计，可在持续负载条件下保持稳定工作。
　　该MOSFET具有优异的开关速度，得益于其适中的栅极电荷（Qg = 160nC）和输入电容（Ciss = 9000pF），在高频开关应用如同步整流、半桥/全桥拓扑中表现出色，能够有效减少开关损耗，提高电源的整体能效。此外，其开启和关断延迟时间短，分别为35ns和45ns，有利于实现精确的PWM控制，适用于数字电源和高动态响应系统。
　　IXTT170N10P还具备高抗雪崩能量能力（EAS），能够在非钳位感性负载切换过程中承受电压尖峰而不损坏，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。器件符合RoHS标准，并具备高可靠性，适用于工业级和汽车级应用场景。其TO-263封装不仅支持自动化贴装，还通过大面积铜焊盘实现高效热传导，进一步提升功率密度。总体而言，IXTT170N10P是一款集高性能、高可靠性和良好热性能于一体的功率MOSFET，适用于对效率和稳定性要求严苛的应用领域。

应用

IXTT170N10P广泛应用于多种高功率电子系统中。典型用途包括大电流DC-DC转换器，特别是在服务器电源、通信电源模块中作为主开关或同步整流器使用；在电机驱动系统中，如直流无刷电机（BLDC）控制器和电动工具驱动电路中，该器件能够高效地控制大电流流向，实现精准调速与制动功能；在电池管理系统（BMS）和储能逆变器中，可用于充放电通路的主控开关，凭借其低导通压降减少发热，延长电池使用寿命；此外，在焊接设备、UPS不间断电源、太阳能微逆变器以及汽车辅助电源系统中也有广泛应用。由于其高电流能力和良好的热稳定性，该器件特别适合于需要长时间满负荷运行的工业设备。其表面贴装封装也使其适用于需要紧凑布局和自动组装的现代电子产品生产流程。