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P4C164L-25FMB 发布时间 时间:2025/6/27 16:59:02 查看 阅读:26

P4C164L-25FMB 是一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由Integrated Device Technology(IDT)公司制造。该器件采用CMOS工艺技术,提供高性能和低功耗特性,适用于需要快速数据访问的场合。这款SRAM芯片通常用于网络设备、通信系统、工业控制以及嵌入式系统等领域。
  其封装形式为100引脚扁平封装(FBGA),适合高密度电路设计,并支持异步操作模式。

参数

型号:P4C164L-25FMB
  类型:高速异步SRAM
  容量:16)
  访问时间:25ns
  电源电压:3.3V
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装类型:100-FBGA
  I/O接口:16位并行
  最大频率:约33MHz(基于访问时间计算)
  功耗:典型值低于200mA(待机模式下电流更低)

特性

P4C164L-25FMB SRAM芯片具备多项显著特性:
  首先,它的高速访问时间为25ns,能够满足对数据读写速度要求较高的应用场景;其次,采用CMOS工艺,确保了低功耗运行,。
  此外,该芯片支持异步SRAM操作,不需要外部时钟信号即可进行数据传输,简化了控制器端的设计复杂度。
  其16位宽的数据总线结构使其在单次访问中能处理大量数据,提高了系统的整体性能。
  该芯片还具备较强的抗干扰能力和稳定性,可在恶劣环境下稳定工作,适合工业和通信领域应用。
  最后,P4C164L-25FMB具有标准的并行接口,兼容大多数微处理器和控制器,便于集成到各种系统中。

应用

P4C164L-25FMB广泛应用于需要高速缓存或临时数据存储的场景中。例如:
  在网络设备中作为缓冲存储器,用于临时存储转发的数据包;
  在嵌入式系统中作为主存储器,用于存放程序代码或实时数据;
  在工业控制系统中作为高速缓存,提高控制响应速度;
  在测试仪器和测量设备中用于高速采样数据的暂存;
  在图形显示系统中用于帧缓冲存储器等。

替代型号

IS61LV102416ALB25TF, CY7C1021DV33-25ZXC, IDT71V124SA25PFG, AS7C31025A-25BC

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