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P4C164-70DWMB 发布时间 时间:2025/6/29 22:55:16 查看 阅读:14

P4C164-70DWMB 是一款由 IDT(Integrated Device Technology)公司制造的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款芯片属于高速、低功耗的SRAM器件,广泛应用于需要快速数据访问和可靠存储的系统中。该型号的具体功能是提供一个容量为16K x 4位的非易失性存储空间,适用于工业控制、网络设备以及嵌入式系统的高速缓存设计。

参数

容量:16K x 4位
  电源电压:5V
  访问时间:70ns
  封装类型:SOJ(Small Outline J-Lead)
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  输入/输出逻辑电平:TTL兼容
  最大读取电流:120mA
  待机电流:10mA

特性

P4C164-70DWMB 的主要特性之一是其高速存取能力,访问时间为70纳秒,适合对时间敏感的应用场景。
  此外,该芯片具备低功耗的特点,在待机模式下仅消耗10mA的电流,这有助于降低整体能耗并延长设备的使用寿命。
  该SRAM器件采用标准的5V电源供电,并且支持TTL逻辑电平,方便与多种数字电路进行接口设计。
  封装形式为SOJ(Small Outline J-Lead),具有较好的机械稳定性和热稳定性,适用于表面贴装工艺,提高了PCB布局的灵活性。
  该芯片的工作温度范围覆盖了工业级标准(-40°C至+85°C),使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行。

应用

P4C164-70DWMB 主要用于需要高性能和低功耗的场合,如嵌入式系统的高速缓存、工业控制系统中的临时数据存储、通信设备的数据缓冲区以及各类测试仪器的中间存储单元。
  在工业自动化领域,它可以作为PLC(可编程逻辑控制器)或HMI(人机界面)设备的快速内存模块,确保实时操作的可靠性。
  在网络设备中,例如路由器和交换机,该芯片可以用来存储临时路由表或会话信息,从而提高数据转发效率。
  同时,由于其宽温特性和高可靠性,也适合用在航空航天、汽车电子等极端环境下工作的系统中,以满足严格的性能要求。

替代型号

IS61C164-70BLLI、CY62167DV30、AS7C3164-70BC

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