IMP42C451S 时间：2025/8/17 17:39:00 阅读：30

IMP42C451S 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和负载开关等场景。该器件采用先进的工艺制造，具备较低的导通电阻和优异的开关性能，适合在中高功率应用中使用。IMP42C451S 采用 TO-252（DPAK）封装形式，便于散热和集成。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-45V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：-4.2A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω @ Vgs = -10V，0.21Ω @ Vgs = -4.5V
　　功率耗散（Ptot）：30W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

IMP42C451S 具备多项优良特性，首先是其低导通电阻，使其在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 -10V 和 -4.5V 驱动，适合多种控制电路设计。
　　其次，IMP42C451S 的热性能优异，采用 TO-252 封装有助于快速散热，确保在高负载条件下稳定运行。此外，该 MOSFET 的开关速度较快，适用于高频开关应用，有助于减小外围电路尺寸并提高整体响应速度。
　　该器件还具有良好的抗雪崩能力，增强了在异常工况下的可靠性。IMP42C451S 的制造工艺符合 RoHS 环保标准，适用于各种工业、消费电子和汽车电子应用。

应用

IMP42C451S 广泛应用于多种电子系统中，主要包括：电源管理电路中的负载开关、DC-DC 转换器、电池供电设备中的反向电流保护、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　在消费类电子产品中，它常用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中，用于控制电池充放电路径或作为高侧开关使用。
　　在工业和汽车应用中，IMP42C451S 可作为电源切换开关或电机驱动电路中的关键元件，提供高效、可靠的功率控制。