时间：2025/6/29 22:43:46
阅读：12
P4C164-45FMB 是一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造。该器件采用高性能的CMOS工艺制造，具有低功耗、高速访问时间等优点，广泛用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业控制设备中。
容量：256Kbit
组织结构：16K x 16位
访问时间：45ns
电源电压：3.3V 或 5V 可选
工作温度范围：工业级 (-40°C 至 +85°C)
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数量：54-pin
最大频率：约11MHz
功耗：典型值为100mA（待机模式下低于10mA）
P4C164-45FMB 是一颗异步SRAM芯片，具备出色的稳定性和可靠性。
其高速访问时间为45ns，适用于对响应速度要求较高的应用场合。
该芯片支持3.3V或5V电源供电，适应性强，可以在多种电子系统中使用。
封装形式为54-pin TSOP，符合现代PCB布线空间紧凑的需求。
工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），适合在严苛环境中运行。
低功耗设计使其在待机状态下消耗极少能量，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
内部采用全CMOS技术，提供了优良的噪声抑制能力和抗干扰性能。
该芯片还具备无限次读写能力，不受写入寿命限制，非常适合频繁读写的场景。
P4C164-45FMB 主要应用于嵌入式控制系统、网络通信设备、工业自动化装置、测试仪器以及医疗电子设备等需要高速缓存的场合。
例如，在路由器和交换机中用作临时数据缓冲存储器；在PLC控制器中作为程序存储器或变量存储单元；在便携式设备中作为主存或辅助存储器以提高处理效率。
此外，它还可用于图像处理模块中的帧缓存，提升图形系统的响应速度和稳定性。
IS61LV25616-45T
