容量：1Mbit
　　组织方式：64K x 16位
　　访问时间：3.5ns
　　电源电压：3.3V或5V兼容
　　封装类型：FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
　　工作温度范围：商业级（0°C至70°C）或工业级（-40°C至85°C）可选
　　接口类型：并行接口
　　最大工作频率：根据访问时间和时钟周期计算，适合高频应用

P4C164-35FMB SRAM芯片具备多项显著特性：
　　首先，其高速访问时间为3.5ns，使得该SRAM适用于对速度要求极高的应用场景，例如高速缓存、实时处理任务和数据交换设备。
　　其次，它支持3.3V或5V电源供电，提供灵活的电源适应能力，使其能够兼容多种系统的电压标准。
　　此外，P4C164-35FMB采用了先进的CMOS技术，不仅提高了稳定性，还降低了功耗，在保持高性能的同时实现了节能效果。
　　在封装方面，采用小型化的FBGA封装形式，有助于节省PCB空间，提高电路板的集成度，适用于高密度设计的嵌入式系统或便携式设备。
　　该SRAM芯片具备较低的输出驱动电流能力和可配置的片选信号，从而减少了电磁干扰并提高了系统稳定性。
　　最后，P4C164-35FMB具有优异的可靠性，能够在高温或恶劣环境下稳定运行，适用于通信基础设施、工业控制系统和网络设备等关键任务领域。

P4C164-35FMB SRAM广泛应用于以下领域：
　　在网络与通信领域，作为高速缓存或临时数据存储单元，用于路由器、交换机、基站控制器等设备中，提升数据转发和处理效率。
　　在工业自动化系统中，被用作PLC（可编程逻辑控制器）的数据存储器，支持快速响应和实时控制功能。
　　此外，它还可用于高端嵌入式系统、测试测量仪器以及视频处理设备，满足这些系统对高速内存的需求。
　　由于其高速特性和良好的环境适应性，P4C164-35FMB也适用于航空航天、军工等对可靠性要求较高的行业。

IDT71V164S35PFG
　　CY7C164B-35BZC
　　IS61LV1648-35B4I