类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（最大）
　　功耗（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

MN4078B具备多个关键特性，使其适用于高功率开关应用。首先，它具有较高的漏源电压耐受能力，最大可达500V，适用于高电压工作环境。其次，其低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下，能量损耗最小化，提高整体系统效率。
　　此外，该器件采用了先进的MOSFET技术，具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。MN4078B的TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和集成到各种电路板设计中。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于要求高可靠性的工业和电源管理应用。其±30V的栅极电压耐受能力也使得驱动电路设计更加灵活，降低了因栅极电压波动导致器件损坏的风险。
　　总体而言，MN4078B以其高耐压、低导通电阻、快速开关特性和良好的热管理能力，在各类高功率电子系统中表现出色。

MN4078B广泛应用于多种高功率电子设备和系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压和低导通电阻特性，该MOSFET也适用于需要高效能功率转换的太阳能逆变器和电池管理系统。此外，MN4078B还可用于音频放大器中的功率输出级，提供稳定可靠的高功率输出。

IRF840, FQP15N50, STP15NF50