时间：2025/6/13 14:11:37
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P42BNL820Z5ST 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点，能够显著提升系统的效率和可靠性。
该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，通过优化设计实现了较低的栅极电荷和输出电容，从而降低了开关损耗并提高了整体性能。同时，其封装形式经过特别设计，具备良好的散热性能和电气连接能力。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：30A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：1200pF
总电容：2000pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗。
2. 高击穿电压，确保在高压环境下的稳定运行。
3. 快速开关速度，减少开关损耗并提高效率。
4. 优异的热性能，支持高功率密度设计。
5. 高雪崩能量能力，增强系统的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 工业自动化设备中的负载控制。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的大电流开关。
6. 各种需要高效功率转换的应用场景。
P42BNL820Z5SS, P42BNL820Z5SF, IRF840, STP30NF10
