时间：2025/6/22 12:15:11
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ZRB157R61A225KE11D是一款高性能的MOSFET功率晶体管，适用于各种开关电源、电机驱动和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，在低导通电阻、高开关速度和出色的热性能方面表现出色。其封装形式通常为TO-247或TO-220，能够承受较高的电流和电压，同时具备良好的散热性能。
这款MOSFET具有增强型结构（Enhancement Mode），仅在栅极施加正电压时导通，广泛用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(VDS)：650V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：22A
导通电阻(RDS(on))：157mΩ
总功耗(PD)：250W
工作温度范围(TJ)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），可显著降低导通损耗，提高效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 热稳定性强，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
6. 内置反向恢复二极管，优化了续流性能，尤其适用于同步整流和逆变器设计。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. DC-DC转换器中的高频开关。
4. 太阳能逆变器和其他功率转换系统。
5. 工业自动化设备中的负载开关。
6. 汽车电子系统中的电源管理模块。
IRFP260N
STP220-65Y
FQP22N65C
IXYS22N65
