时间：2025/6/18 23:46:59
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P40629MAH3 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率以及出色的热性能，能够在高频工作条件下提供稳定可靠的性能。
其封装形式为 TO-263，适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。此外，该器件还具备优异的静电防护能力，能有效防止因 ESD 引发的损坏。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：30A
导通电阻：1.8mΩ
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
封装形式：TO-263
P40629MAH3 的关键特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低导通损耗，提升整体系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用环境，减少磁性元件体积并优化设计。
3. 出色的热稳定性，即使在高温环境下也能保持良好的电气性能。
4. 内置过温保护功能，可有效避免因过热导致的器件失效。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保，满足国际环保要求。
这款功率 MOSFET 主要适用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动控制。
3. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
4. 各种 DC-DC 转换器及逆变器模块。
5. 充电器和适配器中的功率转换级。
P40629MA, IRFZ44N, FDP067N06L
