时间：2025/6/16 22:12:02
阅读：6
Si3552DV-T1-GE3 是一款由 Vishay Siliconix 公司生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，具有极低的导通电阻和高开关速度，适合于需要高效能功率转换的应用场景。它主要应用于 DC/DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中。
该芯片集成了两个独立的 MOSFET 通道，可以显著减少电路板空间占用，并且具备出色的热性能。其封装形式为 PowerPAK? 1212-8，这种封装方式有助于提高散热效率和电气性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流（单通道）：6.4A
导通电阻（Rds(on)）@ Vgs=4.5V：1.4mΩ
导通电阻（Rds(on)）@ Vgs=10V：1.0mΩ
栅极电荷：9nC
总电容（Ciss）：1750pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：PowerPAK? 1212-8
1. 极低的导通电阻，能够有效降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频开关应用，从而减小无源元件尺寸。
3. 小型化设计，采用紧凑型封装，节省 PCB 空间。
4. 出色的热性能，可确保在高功率密度下的可靠运行。
5. 内置 ESD 保护功能，增强器件的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球法规要求。
1. 移动设备中的 DC/DC 转换器。
2. 笔记本电脑及平板电脑的电源管理。
3. 可携式电子产品的负载开关。
4. 电池供电系统的功率级控制。
5. 电信和网络设备中的多相 VR 应用。
6. 各种消费类电子产品中的高效能功率转换模块。
Si3552DS-T1-E3, Si3452DS
