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P3NB90FP 发布时间 时间:2025/7/22 15:42:25 查看 阅读:6

P3NB90FP是一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于高功率和高频应用。该器件由Rohm Semiconductor制造,具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性,适用于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动器、逆变器等应用场景。P3NB90FP采用TO-220FP封装,确保良好的散热性能,适用于工业和消费类电子设备。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(Id):150A(最大)
  漏源电压(Vds):900V
  栅源电压(Vgs):±30V
  导通电阻(Rds(on)):0.48Ω(最大)
  功耗(Pd):150W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220FP

特性

P3NB90FP具有多项优良特性,适用于高功率和高频率的工作环境。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗,从而提高系统效率。其次,该器件具备高耐压能力(Vds为900V),适合高压电源转换和工业设备使用。
  此外,P3NB90FP的封装设计采用TO-220FP标准,具有出色的散热性能,能够有效降低工作温度,提高长期运行的稳定性。其高栅极电压容限(±30V)使得在复杂驱动条件下也能保持可靠运行,减少因栅极电压波动引发的故障风险。
  该MOSFET还具备良好的短路耐受能力,能够在极端工况下提供额外的保护,提升系统的整体可靠性。同时,P3NB90FP符合RoHS环保标准,适用于对环保要求较高的电子设备。

应用

P3NB90FP广泛应用于需要高耐压和大电流能力的电力电子设备中。典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、马达驱动电路、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外,它也常用于高功率LED照明驱动、充电器和电池管理系统中。
  由于其优异的导热性能和高可靠性,P3NB90FP在电动汽车充电设备、工业电机控制和家电电源系统中也具有广泛的应用前景。其适用于需要频繁开关操作的高频应用,能够有效降低开关损耗,提高整体系统效率。

替代型号

P3NA90EFP, P3NB80FP, P4NB90FP, P3NC90FP

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