P3NB90FP 时间：2025/7/22 15:42:25 阅读：6

P3NB90FP是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高功率和高频应用。该器件由Rohm Semiconductor制造，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动器、逆变器等应用场景。P3NB90FP采用TO-220FP封装，确保良好的散热性能，适用于工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：150A（最大）
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.48Ω（最大）
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220FP

特性

P3NB90FP具有多项优良特性，适用于高功率和高频率的工作环境。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。其次，该器件具备高耐压能力（Vds为900V），适合高压电源转换和工业设备使用。
　　此外，P3NB90FP的封装设计采用TO-220FP标准，具有出色的散热性能，能够有效降低工作温度，提高长期运行的稳定性。其高栅极电压容限（±30V）使得在复杂驱动条件下也能保持可靠运行，减少因栅极电压波动引发的故障风险。
　　该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，能够在极端工况下提供额外的保护，提升系统的整体可靠性。同时，P3NB90FP符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的电子设备。

应用

P3NB90FP广泛应用于需要高耐压和大电流能力的电力电子设备中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、马达驱动电路、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，它也常用于高功率LED照明驱动、充电器和电池管理系统中。
　　由于其优异的导热性能和高可靠性，P3NB90FP在电动汽车充电设备、工业电机控制和家电电源系统中也具有广泛的应用前景。其适用于需要频繁开关操作的高频应用，能够有效降低开关损耗，提高整体系统效率。