型号：P28F001BXT-120
　　制造商：Intel
　　类型：NOR Flash Memory
　　容量：1 M x 8位（1MB）
　　供电电压：5V ± 10%
　　访问时间：120ns
　　接口类型：并行接口
　　组织结构：1M x 8
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　封装类型：40-pin DIP 或 TSOP
　　写入耐久性：约10万次擦写周期
　　数据保持时间：10年以上
　　读取模式：随机读取、页读取
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　总线宽度：8位
　　JEDEC标准兼容：是

P28F001BXT-120具备多项关键技术特性，使其在嵌入式系统和固件存储应用中表现出色。首先，其基于NOR架构的闪存设计支持XIP（Execute In Place）功能，允许CPU直接从闪存中执行代码，无需将程序加载到RAM中，从而节省系统资源并加快启动速度。这一特性特别适用于BIOS、Bootloader等需要快速启动的应用场景。
　　其次，该芯片内置高效的命令寄存器接口（Command Register Interface），通过向特定地址写入命令序列来实现对芯片的操作控制，如读取、编程、擦除和查询状态等。这种软件控制机制使得系统可以通过简单的I/O指令完成复杂的存储管理任务，提升了设计灵活性。同时，芯片内部集成电荷泵电路，可在标准5V电源下完成编程和擦除所需的高压生成，避免了对外部高压电源的需求，简化了电源设计。
　　再者，P28F001BXT-120提供扇区保护功能，用户可选择锁定某些存储区域以防止误操作。每个扇区可以独立进行擦除和编程，最小擦除单位为一个扇区（大小因具体版本而异），提高了数据管理的精细度。此外，芯片支持硬件复位输入（RESET#引脚），可在异常情况下强制芯片进入读取模式，确保系统安全重启。
　　该器件还具备良好的抗干扰能力和长期数据保持能力，在无电源供应的情况下可稳定保存数据达十年以上。其120纳秒的访问时间虽不及现代高速闪存，但在当时的工业控制和计算机系统中已属主流水平。整体而言，P28F001BXT-120以其稳定的性能、成熟的工艺和广泛的兼容性，成为上世纪90年代至2000年代初许多电子设备中的核心存储元件之一。

P28F001BXT-120主要应用于需要非易失性程序存储的各类电子系统中。典型用途包括个人计算机和工控机的BIOS存储，因其支持XIP特性，系统上电后可直接从中读取并执行启动代码，显著缩短启动时间。在嵌入式控制系统中，该芯片常用于存放固件程序、配置参数和设备驱动，广泛见于工业自动化设备、数控机床、通信基站和网络路由器等设备中。
　　此外，该芯片也被用于军事和航空航天领域的电子系统，这些应用场景对元器件的长期可用性和稳定性有极高要求。由于P28F001BXT-120采用成熟的制造工艺和严格的测试流程，具备较高的可靠性和环境适应能力，因此在一些关键任务系统中仍被沿用。在医疗电子设备中，例如监护仪、成像系统和诊断仪器，该芯片可用于存储启动程序和校准数据，保障设备正常运行。
　　在消费类电子产品中，如老式打印机、复印机、POS终端等设备中也常见该型号闪存的身影。由于其5V供电特性，特别适合与传统的8位和16位微控制器（如8051、80C186等）配合使用，构成低成本、高稳定性的控制模块。即使在当前新型闪存普及的时代，P28F001BXT-120仍在设备维修、备件替换和系统维护市场中具有一定的需求量，尤其是在无法更换主控平台的老化设备中。

SST39SF010A-120
　　AMD AM29F001BT-120
　　ST M29F001B-120
　　Sharp LH28F001BCT-120