P2804ND5G 时间：2025/6/16 22:16:09 阅读：3

P2804ND5G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，主要用于高频、高效率的电力电子应用。该芯片采用先进的 GaN 晶体管设计，提供更低的导通电阻和更高的开关频率，能够显著提升电源转换效率并减少系统体积。其封装形式为紧凑型表面贴装，非常适合对空间和性能要求较高的现代电子产品。
　　P2804ND5G 集成了多种保护功能，包括过流保护、过温保护等，从而提升了整体系统的可靠性。

参数

型号：P2804ND5G
　　类型：GaN 功率晶体管
　　工作电压：100V
　　连续漏极电流：4A
　　导通电阻：6mΩ
　　栅极电荷：30nC
　　工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
　　封装形式：DFN8

特性

P2804ND5G 的主要特性包括：
　　1. 基于氮化镓技术，具有极低的导通电阻，有助于降低传导损耗。
　　2. 支持高达 5MHz 的开关频率，适用于高频电源转换场景。
　　3. 内置保护机制，可有效防止因过流或过温导致的损坏。
　　4. 小尺寸 DFN8 封装，节省 PCB 空间。
　　5. 提供出色的热性能，确保在高负载条件下的稳定性。
　　6. 具备优异的抗电磁干扰能力，适合复杂环境下的应用。
　　7. 高度兼容传统 MOSFET 驱动电路，便于升级和替换现有方案。

应用

P2804ND5G 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (Switching Power Supplies)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
　　2. 快速充电器，支持更高效率和更小体积的设计。
　　3. 通信设备中的电源模块，例如基站和路由器。
　　4. 工业自动化设备中的驱动电路。
　　5. LED 照明驱动器，提供高效的恒流输出。
　　6. 电动汽车充电桩和其他高性能电力电子设备。
　　由于其高频特性和低损耗表现，P2804ND5G 成为了许多新型电力电子系统的核心组件。