P2804HVG是一款高压功率MOSFET,采用TO-252封装形式。这款芯片主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域,具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点。
该器件适用于需要高效能功率转换的场景,其设计能够承受较高的电压波动,同时保持较低的能耗。由于其出色的电气性能和可靠性,P2804HVG在工业控制、消费电子及通信设备中有着广泛的应用。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:1.7A
栅源电压:±20V
导通电阻:3.5Ω(典型值)
总功耗:1.1W
工作结温范围:-55℃至+150℃
1. 高耐压能力,支持高达600V的工作电压,使其能够在恶劣环境下稳定运行。
2. 低导通电阻,典型值为3.5Ω,在高电流条件下减少功率损耗。
3. 快速开关速度,有助于提高系统效率并降低电磁干扰。
4. 具备良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内正常工作。
5. 小型化封装(TO-252),节省PCB空间,适合紧凑型设计需求。
这些特性使得P2804HVG成为许多高压应用场景的理想选择。
1. 开关电源适配器及充电器设计,提供高效的功率转换。
2. DC-DC转换器,用于电池供电系统中的电压调节。
3. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
4. 消费类电子产品,如家用电器、照明系统的电源管理模块。
5. 通信设备中的辅助电源部分,确保可靠稳定的电力供应。
凭借其卓越的性能和可靠性,P2804HVG可以满足不同行业对高性能功率MOSFET的需求。
P2804LVG, IRF540N, FQP17N60