制造商：Vishay Semiconductors
　　产品系列：TrenchFET?
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：20 V
　　栅源电压（VGS）：±12 V
　　连续漏极电流（ID）@ 25°C：5.4 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：21 A
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V：22 mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 2.5 V：30 mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 1.8 V：42 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）@ ID = 250 μA：0.6 V ~ 1.0 V
　　输入电容（Ciss）@ VDS = 10 V：520 pF
　　输出电容（Coss）@ VDS = 10 V：190 pF
　　反向传输电容（Crss）@ VDS = 10 V：45 pF
　　栅极电荷（Qg）@ VGS = 4.5 V, ID = 5.4 A：9 nC
　　功率耗散（PD）：1.4 W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23

P2576G-AD-SH2-R采用了Vishay成熟的TrenchFET沟槽式MOSFET工艺，这种技术通过优化硅片内部的沟道结构，显著降低了单位面积下的导通电阻，从而提高了整体能效。其超低的RDS(on)值在低栅极驱动电压下仍能保持优异性能，支持1.8V、2.5V和4.5V逻辑电平直接驱动，兼容现代微控制器和低压数字IC输出，无需额外的电平转换电路。这使得它在电池供电设备中尤为适用，如智能手机、可穿戴设备和物联网终端，有助于延长续航时间。
　　该器件具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能维持较低的导通损耗，确保系统长期运行的可靠性。SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热能力，配合合理的布局设计可有效降低热阻。此外，P2576G-AD-SH2-R具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，特别适合高频开关应用如同步整流、DC-DC降压变换器和负载开关电路。
　　器件的阈值电压范围适中，避免了因噪声干扰导致的误触发问题，同时保证了在低输入信号下的可靠开启。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要反向电流续流的场合。整个器件经过严格的质量控制和可靠性测试，符合AEC-Q101汽车级认证的部分要求，可用于工业级甚至部分车载电子系统。其无铅、无卤素的设计也符合当前绿色电子制造的趋势，支持回流焊工艺，适应自动化生产流程。

P2576G-AD-SH2-R广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如手机、平板电脑和智能手表中的负载开关或电池保护电路，用于控制不同功能模块的供电通断，减少待机功耗。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用作同步整流器或主开关元件，提升转换效率并减小整体方案尺寸。
　　此外，它也适用于电机驱动电路、LED驱动电源、热插拔控制器以及USB电源开关等场合。在工业控制系统中，可用于传感器电源控制、继电器驱动或I/O端口保护。由于其良好的温度特性和稳定电气参数，也可用于汽车电子中的低功率电源切换应用，如车载信息娱乐系统的子模块供电管理。在通信设备中，常被用于实现多电源轨之间的切换与隔离，保障系统上电顺序正确。其小型化封装特别适合高密度PCB布局，是替代传统较大封装MOSFET的理想选择，尤其在追求轻薄化设计的产品中表现出色。

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　　 "SI2302DDS-T1-E3",
　　 "AO3400",
　　 "DMG2302UK",
　　 "FDS6670A",
　　 "BSS138"
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