STF11NM80 时间：2025/7/23 21:35:21 阅读：4

STF11NM80是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压和高电流应用。这款MOSFET具有高耐压能力，漏源电压（VDS）可达800V，适合用于开关电源、电机控制、照明系统以及各种电力电子设备中。STF11NM80采用了先进的技术，以确保在高功率应用中具有良好的导通性能和较低的开关损耗。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）@25°C：11A
　　漏极电流（ID）@100°C：7.3A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.85Ω @VGS=10V
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

STF11NM80 MOSFET具有多项显著特性，首先是其高耐压能力，800V的漏源电压（VDS）使其非常适合高压应用，如开关电源和工业电机控制。此外，该器件的导通电阻（RDS(on)）为0.85Ω，在VGS=10V时表现出较低的导通损耗，从而提高了系统效率。
　　在热管理方面，STF11NM80具有较高的热稳定性，能够在较高的温度下稳定运行。其最大功率耗散为125W，确保在高负载条件下依然具有良好的散热性能。同时，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±30V），增强了其在不同电路设计中的适用性。
　　STF11NM80还具有良好的抗过载能力和短路保护性能，能够在恶劣的电气环境中保持稳定工作。此外，该MOSFET的封装形式为TO-220，便于安装和散热，适用于多种电路板设计。

应用

STF11NM80 MOSFET广泛应用于多种电力电子系统中。其高耐压和较强的电流承载能力使其成为开关电源（SMPS）的理想选择，尤其适用于AC/DC转换器、DC/DC转换器等电源模块设计。此外，该器件也可用于电机驱动电路，如直流电机控制、伺服电机驱动器等，提供高效、可靠的功率开关功能。
　　在照明系统中，STF11NM80可用于LED驱动器和电子镇流器，实现高效率的光源控制。它还可用于工业自动化控制系统，如可编程逻辑控制器（PLC）、继电器驱动器以及各类电源管理系统。此外，由于其良好的热稳定性和抗干扰能力，STF11NM80也可用于逆变器、不间断电源（UPS）及家用电器中的高功率控制电路。