型号：P2300SBMCRP
　　制造商：ON Semiconductor (安森美)
　　器件类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：650 V
　　最大漏极电流(ID)：2.3 A（连续）
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：9.2 A
　　导通电阻(RDS(on))：典型值2.0 Ω @ VGS = 10 V
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2.0 V ~ 4.0 V
　　最大栅源电压(VGS)：±20 V
　　最大功耗(PD)：70 W（Tc=25°C）
　　工作结温范围(TJ)：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度(Tstg)：-55 °C 至 +150 °C
　　输入电容(Ciss)：约380 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容(Coss)：约95 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间(trr)：典型值28 ns
　　封装形式：PowerDI?5060-7L（表面贴装）
　　安装类型：表面贴装(SMD)

P2300SBMCRP采用安森美独有的SuperFET?技术，这是一种基于电荷平衡原理的高压MOSFET制造工艺，能够显著提升器件的击穿电压与导通性能之间的平衡。传统MOSFET在提高耐压的同时往往会导致导通电阻急剧上升，而SuperFET?通过在漂移区引入精确掺杂的P型柱结构，形成电荷补偿效应，从而在维持650V高耐压能力的同时大幅降低RDS(on)，实现更高的效率和更小的芯片面积。这种结构不仅提高了单位面积的电流承载能力，还减少了寄生电容，使开关速度更快，开关损耗更低。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这使得在高频开关应用中所需的驱动功率更少，有助于简化驱动电路设计并提高系统效率。同时，其输入电容和输出电容较小，进一步降低了高频下的动态损耗。P2300SBMCRP还具备良好的热稳定性，在高温工作条件下仍能保持稳定的电气性能，避免因温度升高导致的性能下降或热失控问题。
　　由于采用了PowerDI?5060-7L封装，该器件具有优异的散热性能，底部带有暴露焊盘，可有效将热量传导至PCB，提升功率密度。该封装尺寸紧凑，适合高密度布局，且兼容自动化贴片工艺，有利于大批量生产。此外，器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和抗浪涌电流能力，提升了在异常工况下的可靠性。其栅氧化层质量高，能承受±20V的栅源电压，增强了对误操作或噪声干扰的容忍度。
　　P2300SBMCRP还通过了AEC-Q101汽车级认证，意味着其在极端温度循环、湿度、机械振动等测试条件下均表现良好，可用于车载电源系统等对可靠性要求较高的场合。整体而言，这款MOSFET在效率、可靠性、封装和成本之间实现了良好平衡，是现代高效电源设计中的优选器件。

P2300SBMCRP广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其适用于需要高效率和高可靠性的场合。其主要应用场景包括离线式AC-DC电源适配器，如笔记本电脑、打印机、显示器等设备的外置电源，这类应用通常要求MOSFET具备良好的开关特性和热稳定性，以应对长时间运行和频繁启停的工况。此外，该器件也常用于LED照明驱动电源，特别是在高功率LED路灯、室内商业照明和工业照明系统中，作为主开关管使用，能够有效降低能耗并延长灯具寿命。
　　在反激式（Flyback）和准谐振（QR）拓扑结构中，P2300SBMCRP凭借其快速开关能力和低Qg特性，可显著减少开通和关断过程中的能量损耗，提升整体转换效率。它同样适用于待机电源（Standby Supply）电路，在主电源关闭时为控制电路提供持续供电，此时其低静态功耗和高效率尤为重要。
　　该器件还可用于工业电源模块、电池充电器、家用电器（如空调、洗衣机）的内部电源管理单元，以及太阳能微型逆变器等新能源领域。由于其具备AEC-Q101认证，因此也可用于汽车电子中的辅助电源系统，例如车载信息娱乐系统的供电模块或DC-DC转换器。总之，任何需要650V耐压等级、中等电流输出且注重能效的电源拓扑，均可考虑采用P2300SBMCRP作为核心开关元件。

FQP2300S
　　STP2300S
　　KSB13007