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IPD60R600P6 发布时间 时间:2025/7/15 18:58:43 查看 阅读:9

IPD60R600P6 是英飞凌(Infineon)公司生产的一款高性能功率MOSFET器件,属于CoolMOS?系列。该系列产品采用先进的超结(Super Junction)技术,具有较低的导通电阻和开关损耗,适用于高效率、高功率密度的电源应用。

参数

类型:功率MOSFET
  结构:N沟道
  漏源电压(Vds):650V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):37A(Tc=100℃)
  功耗(Pd):84W
  导通电阻(Rds(on)):0.6Ω
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220

特性

IPD60R600P6 具有多种优良的电气和物理特性,使其在高性能功率转换应用中表现出色。
  首先,该器件采用了英飞凌的CoolMOS?超结技术,显著降低了导通电阻(Rds(on)),同时保持了优异的开关性能,从而提高了整体系统效率并减少了散热需求。这种技术使得MOSFET能够在高压条件下依然实现较低的传导损耗,适用于诸如开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等高要求的应用场景。
  其次,IPD60R600P6 拥有高达650V的漏源击穿电压(Vds),能够满足多数工业级电源设计的需求。其最大连续漏极电流为37A,在高温工况下依然保持良好的稳定性和可靠性,确保在高负载条件下的安全运行。
  此外,该器件的栅源电压容限为±20V,具备较强的抗过压能力,防止因驱动电路异常而损坏MOSFET。内置的快速恢复二极管(Fast Recovery Diode)可进一步提升系统效率,减少外部元件数量,简化PCB布局设计。
  在封装方面,IPD60R600P6 采用标准的TO-220封装,具有良好的热管理和机械稳定性,便于安装和散热设计,适用于各种中高功率应用环境。

应用

IPD60R600P6 主要应用于需要高效能、高可靠性的电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  开关电源(SMPS):作为主开关或同步整流器件,提高电源转换效率,减小体积与重量。
  不间断电源(UPS):用于DC-AC逆变器部分,提供稳定的交流输出,提升能源利用率。
  太阳能逆变器:在光伏系统中用作DC-AC转换的核心开关元件,提升系统整体能量转换效率。
  电机驱动与变频器:适用于各类工业电机控制和调速系统,提供高效的功率切换方案。
  LED照明驱动:在高功率LED照明系统中,用于构建高效的恒流驱动电路。
  此外,该器件也适用于电池充电器、电焊机、感应加热等高功率应用场景。

替代型号

IPP60R600P6, IPW60R600P6, STF10N65M5, FDPF60R600P6

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IPD60R600P6参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥10.18000剪切带(CT)2,500 : ¥4.33330卷带(TR)
  • 系列CoolMOS? P6
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.3A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)600 毫欧 @ 2.4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)557 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)63W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63