P2202AB60 时间：2025/12/28 19:06:52 阅读：9

P2202AB60 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关和电源管理应用。这款器件采用了先进的平面工艺技术，具有低导通电阻、高击穿电压和优异的热稳定性，适用于工业控制、电机驱动、电源转换、电动车系统等多种高功率场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大连续漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω
　　栅极电压（Vgs）：±30V
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

P2202AB60 的核心优势在于其出色的导通性能和高电压耐受能力。其导通电阻仅为 0.22Ω，这在同类器件中属于较低水平，有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的漏源击穿电压为 600V，使其能够稳定运行在高电压环境中，适用于诸如开关电源、电机控制器和变频器等应用。
　　此外，P2202AB60 采用 TO-220AB 封装，具备良好的散热性能和机械强度，能够在高温条件下保持稳定运行。其栅极电压容限为 ±30V，提供了较高的驱动灵活性和抗干扰能力。器件还内置了快速恢复二极管，提高了在高频开关应用中的性能表现。
　　该 MOSFET 还具有良好的短路耐受能力和过热保护特性，有助于提升系统的可靠性和安全性。其设计优化了开关损耗，从而减少了对散热器的需求，降低了整体系统成本。

应用

P2202AB60 被广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、电机驱动器、电动车充电系统、工业自动化设备、UPS（不间断电源）系统以及照明控制系统。其高电压和高电流处理能力使其成为电力电子变换器和逆变器中的理想选择。
　　在电动车领域，P2202AB60 可用于电池管理系统和电动机控制器中，实现高效的能量转换和精确的控制。在工业自动化系统中，该器件可以作为功率开关，用于控制电机、继电器和执行器等负载。此外，在太阳能逆变器和储能系统中，P2202AB60 也可作为关键的功率转换元件，提高系统的整体效率和稳定性。