产品系列：InnoSwitch?3
　　拓扑结构：反激式（Flyback）
　　最大输出功率：约65 W
　　输入电压范围：85 VAC 至 265 VAC（通用输入）
　　集成MOSFET耐压：725 V
　　工作频率范围：30 kHz 至 132 kHz
　　控制模式：多模式准谐振（QR）、CCM/DCM自适应
　　反馈方式： FluxLink? 数字磁感技术（次级侧反馈）
　　封装类型：InSOP-24D（带裸焊盘）
　　隔离耐压：750 VAC（最小）
　　效率： >94%（典型值）
　　待机功耗：<30 mW
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　保护功能：OVP、OCP、OTP、SCP、Brown-in/out

P2147H-1采用Power Integrations独有的FluxLink?通信技术，实现了次级侧到初级侧的无光耦信号传输。这种磁感应通信机制不仅提高了系统的长期可靠性（避免了传统光耦因老化导致的性能下降问题），还增强了电气隔离性能，支持高达750 VAC的隔离耐压要求。通过次级侧的检测电路实时监控输出电压和电流，并将信息通过变压器绕组间的数字脉冲反馈至初级侧控制器，P2147H-1能够在整个负载范围内维持±3%以内的输出精度，即使在线电压波动或温度变化的情况下也能保持稳定输出。该技术特别适合对安全性、可靠性和寿命要求较高的应用场景，例如医疗设备电源、智能家居网关和工业传感器供电模块。
　　该芯片内置的高压GaAs光电二极管驱动器与同步整流（SR）控制器协同工作，可有效驱动次级侧的MOSFET进行同步整流，显著提升电源效率，尤其是在中低负载条件下。相比传统的肖特基二极管整流方案，同步整流可减少导通损耗达30%以上，使得整体电源设计更加节能高效。此外，P2147H-1支持多模式运行——包括准谐振（QR）、连续导通模式（CCM）和不连续导通模式（DCM），控制器会根据负载状态自动切换最优工作模式，在轻载时进入突发模式（Burst Mode）以降低开关损耗，进一步优化待机效率，满足低于30 mW的超低空载功耗要求。
　　在保护机制方面，P2147H-1集成了全面的故障检测与响应功能。例如，当检测到输出过压、过流或短路时，芯片会立即关闭功率MOSFET并进入自动重启或锁存关断状态，防止损坏外部元件。内部还设有精确的热关断电路，一旦结温超过安全阈值即触发OTP保护。同时，芯片具备输入欠压锁定（Brown-in/Brown-out）功能，确保在电网电压不稳定时仍能平稳启动和关闭，避免误动作。这些智能保护功能大大提升了电源系统的鲁棒性，减少了对外部保护元件的需求，有助于缩小整体体积并提高MTBF（平均无故障时间）。
　　P2147H-1还具有优异的EMI（电磁干扰）性能，得益于其变频技术和软开关操作，有效分散了噪声频谱，降低了传导和辐射干扰水平，使设计更容易通过CISPR 32、EN55022等EMI认证。此外，其InSOP-24D封装结合了高压隔离引脚间距与底部散热焊盘，既满足了安全隔离标准，又提供了良好的热管理能力，可在密闭空间内长时间稳定运行。

P2147H-1广泛应用于需要高效率、小尺寸和高可靠性的离线式电源设计中。典型应用包括智能手机、平板电脑和其他便携设备的USB充电器，尤其是支持PD快充协议的多口适配器；家用电器中的辅助电源，如电视、机顶盒、路由器和智能音箱的内置SMPS（开关电源）；工业自动化领域的PLC模块、传感器供电单元和继电器驱动电源；以及楼宇安防系统中的摄像头、门禁控制器和IP电话等设备。由于其具备无需光耦的隔离反馈架构，也常用于对寿命和维护成本敏感的封闭式设备，如LED照明驱动电源和远程监控终端。此外，该芯片符合多项国际安规认证标准，因此也被用于医疗信息技术设备（如医用显示器和诊断仪器的外置电源）中，满足严格的电气安全与EMC要求。其高集成度和宽输入电压范围使其成为全球通用输入电源产品的理想选择，尤其适合出口型电子产品制造商采用。

INN3372C