时间：2025/6/13 19:11:19
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MD27128A-25/B 是一种静态随机存取存储器（SRAM）芯片，采用CMOS技术制造。该器件具有高速、低功耗和高可靠性的特点，适用于各种需要快速数据存取的应用场景。其容量为32K x 8位（即262,144位），工作电压范围通常为4.5V至5.5V，适合在工业级和商业级环境下运行。
MD27128A-25/B 提供了同步写入和读取功能，同时具备异步复位和输出使能控制，便于与其他数字逻辑电路集成。
容量：262,144位
组织结构：32K x 8位
工作电压：4.5V 至 5.5V
访问时间：25ns
封装类型：40引脚PDIP、PLCC或TQFP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保持时间：无限期（电源正常时）
刷新要求：无（静态RAM无需刷新）
MD27128A-25/B 具有以下主要特性：
1. 高速性能：25ns的访问时间使其能够在高频应用中提供快速的数据处理能力。
2. 静态设计：无需刷新操作，简化了系统设计并提高了可靠性。
3. 低功耗：在待机模式下电流消耗极低，非常适合对功耗敏感的应用。
4. 强大的接口功能：支持同步写入和读取，并且具有独立的输出使能和片选信号，增强了灵活性。
5. 广泛的工作温度范围：能够适应工业级环境的需求。
6. 多种封装选择：提供了不同的封装形式以满足各种PCB布局需求。
MD27128A-25/B 的典型应用场景包括：
1. 工业控制系统：用于实时数据采集与处理。
2. 网络通信设备：作为缓存或临时存储空间。
3. 医疗仪器：用于保存关键数据和程序代码。
4. 消费类电子产品：如打印机、扫描仪等需要高速数据交换的设备。
5. 嵌入式系统：为微控制器提供扩展内存。
由于其高可靠性和快速响应能力，MD27128A-25/B 在需要高性能内存解决方案的场合中表现优异。
MD27C128A-25, CY62256LV-25LCI, IS61LV256AL-25BLI
