型号：P20L60CT
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：典型值0.2Ω（具体视测试条件而定）
　　连续漏极电流（Id）：20A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：80A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大功耗（Ptot）：200W（@Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　输入电容（Ciss）：约1800pF
　　输出电容（Coss）：约100pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值50ns
　　开启延迟时间（td(on)）：约20ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约40ns

P20L60CT具备优异的电气特性和热性能，能够在高电压和大电流条件下保持稳定的开关表现。其核心优势之一是具备极高的漏源击穿电压（600V），使其适用于AC-DC整流后端的主开关电路，例如在反激式、正激式或LLC谐振变换器中作为主功率开关使用。该器件的低导通电阻有效降低了导通期间的功率损耗，提高了电源系统的整体效率，尤其在满载或重载工况下表现突出。此外，P20L60CT采用了优化的元胞布局和栅极结构设计，显著减少了栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），从而降低了驱动损耗并提升了开关速度，有利于实现高频开关操作，减小磁性元件体积，提高功率密度。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在突发的电压尖峰或感性负载切断时吸收一定的能量而不损坏，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。其热阻特性优良，结合TO-220或TO-247封装，可通过外接散热片有效将结温控制在安全范围内，延长器件寿命。P20L60CT的阈值电压（Vgs(th)）设计合理，通常在3~5V之间，兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与PWM控制器直接连接。同时，该器件具有较低的体二极管正向压降和较快的反向恢复特性，在非连续导通模式（DCM）或零电压切换（ZVS）拓扑中也能良好工作。所有这些特性共同确保了P20L60CT在高可靠性、高效率电源系统中的广泛应用前景。

P20L60CT广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高耐压和高效能转换的场合。典型应用包括工业级AC-DC开关电源、离线式反激变换器、单端初级电感变换器（SEPIC）、升压PFC（功率因数校正）电路以及DC-DC高压降压转换器。在新能源领域，该器件可用于太阳能微逆变器、储能系统中的DC-DC模块以及电动汽车车载充电机（OBC）的辅助电源部分。此外，P20L60CT也适用于UPS不间断电源、通信电源模块、LED恒流驱动电源以及电机驱动控制电路中，作为主开关或同步整流开关使用。
　　在家电产品中，P20L60CT可用于空调压缩机驱动、电磁炉功率控制以及洗衣机变频模块中，提供快速响应和高效能的功率切换能力。其高耐压特性使其特别适合接入整流后的高压直流母线（如310V或400V），在待机电源、辅助电源（Standby SMPS）中也有广泛应用。由于其具备良好的热稳定性和长期可靠性，P20L60CT也被广泛用于工业自动化设备、医疗电源系统以及户外照明电源等对安全性和稳定性要求较高的场景。总之，凡涉及600V级高压开关操作的应用，P20L60CT均是一个可靠且高效的解决方案。

STP20NM60ND, FQP20N60, 2SK3562, 2SC4489, IRFP460LC