类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：170A
　　导通电阻 RDS(on)：最大值 4.5mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　功率耗散（PD）：200W

P170N10 的主要特性之一是其极低的导通电阻，最大值为 4.5mΩ，在10V的栅极驱动电压下可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具备高电流承载能力，额定连续漏极电流可达170A，适用于高功率密度应用。P170N10 还具有良好的热稳定性，得益于其高效的PowerFLAT封装技术，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　该MOSFET支持宽范围的栅极驱动电压，通常在+10V至+20V之间工作，具备良好的开关性能。其内部结构设计优化了电容特性，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。同时，P170N10 具备良好的抗雪崩能力，提高了器件在恶劣工况下的可靠性。
　　另外，P170N10 在封装设计上采用了扁平化布局，有效减小PCB占用面积，同时提升了热传导效率。这种设计特别适用于空间受限但需要高效散热的应用场景，如便携式电源设备、服务器电源模块、电动汽车充电系统等。

P170N10 主要应用于高功率开关电源、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）等。在服务器和通信设备的电源模块中，P170N10 被广泛用于高效同步整流和负载管理。此外，其高电流能力和低导通损耗特性也使其成为电动汽车充电系统、工业自动化设备和UPS不间断电源系统中的理想选择。
　　在电机控制领域，P170N10 可用于H桥驱动电路，实现高效、快速的电机正反转控制。由于其优异的热稳定性和抗过载能力，P170N10 也适用于需要长时间高负载运行的工业设备中。在电池管理系统中，该MOSFET常用于电池充放电路径的开关控制，确保系统的安全性和能效。

IPW90R120C3, FDP170N10A, STD170N10F7