产品系列：InnoSwitch?3-SE
　　集成开关：750 V PowiGaN? MOSFET
　　输出功率范围：最高15 W
　　输入电压范围：90 VAC 至 265 VAC（通用输入）
　　工作效率：典型值大于90%
　　工作频率：自适应多模式准谐振/CCM/DCM
　　封装类型：ISOPackage-17D
　　保护功能：过载保护（OLP）、过温保护（OTP）、过压保护（OVP）、开环保护
　　控制方式：次级侧同步整流控制与初级侧PWM控制集成
　　反馈机制：通过FluxLink?磁感耦合技术实现次级到初级的通信
　　待机功耗：<30 mW
　　工作温度范围：-40°C 至 +100°C

P1200SB的核心特性之一是采用了Power Integrations独有的FluxLink?数字反馈技术，实现了初级侧与次级侧之间的安全隔离通信，无需使用传统光耦或TL431基准电压源，从而提升了系统的长期可靠性并减少了元件数量。该技术通过高频磁信号在绕组间传递控制信息，响应速度快，精度高，确保了输出电压和电流的精确调节。
　　另一个关键特性是集成了基于氮化镓（GaN）材料的PowiGaN?功率MOSFET，相较于传统的硅基MOSFET，具有更低的导通电阻和开关损耗，使开关频率得以提高，进而减小变压器和滤波元件的体积，提升整体功率密度。这一特性特别适用于追求小型化和高效能的现代电源设计。
　　P1200SB还具备高级保护机制，包括自动重启动模式下的过载保护、精确的过温关断以及输出过压保护，所有这些保护功能均可在不依赖外部电路的情况下自主完成。此外，芯片内部集成了同步整流驱动器，能够主动控制次级侧的MOSFET导通与关断时机，最大限度地降低整流损耗，尤其是在低输出电压（如5V、3.3V）应用中表现尤为突出。
　　该器件支持多种工作模式，包括准谐振（QR）、连续导通模式（CCM）和非连续导通模式（DCM），并根据负载条件自动切换，以维持在整个负载范围内的高效率。轻载和空载时，系统进入突发模式（Burst Mode），有效降低开关活动，从而将待机功耗控制在30mW以下，满足最严格的节能法规要求。
　　最后，P1200SB的设计简化了EMI抑制措施，其软开关特性和优化的栅极驱动波形减少了电压和电流尖峰，降低了电磁干扰水平，使得设计师可以使用更简单的EMI滤波器，进一步节省空间和成本。

P1200SB广泛用于需要小功率隔离直流输出的各类工业与消费类电子产品中。典型应用包括白色家电中的微处理器供电电源，例如洗衣机、冰箱和空调的控制板辅助电源，这类应用要求高可靠性、长寿命和良好的抗干扰能力。在智能电表领域，P1200SB可用于为计量模块和通信接口提供稳定的隔离电源，其低待机功耗特性有助于满足电网设备的节能规范。
　　在工业自动化系统中，该芯片常被用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器供电模块和远程I/O模块的电源设计，其宽输入电压范围和坚固的保护功能使其能在恶劣的电气环境中稳定运行。此外，在网络与通信设备中，如路由器、交换机和IP摄像头，P1200SB可用于为PoE（以太网供电）相关电路或主控芯片提供辅助电源，其紧凑的尺寸非常适合空间受限的应用场景。
　　IOT设备和智能家居产品也是P1200SB的重要应用方向。例如，在智能门锁、温控器、语音助手等设备中，它可作为主电源或备用电源解决方案，提供稳定可靠的电力供应。由于其无需光耦的设计减少了故障点，提高了MTBF（平均无故障时间），非常适合部署在难以维护的远端设备中。
　　此外，医疗设备中的低功率隔离电源模块也可采用P1200SB，前提是符合相应的安规认证要求。总体而言，任何需要高效、小型化、高可靠性的5–15W隔离式电源的应用，都是P1200SB的理想选择。

INN3270C, INN3276C, P1200SC