最大正向电流（IF）：100 mA
　　最大反向电压（VR）：30 V
　　正向压降（VF）：1.25 V（最大值，IF=10 mA）
　　反向电流（IR）：100 nA（最大值，VR=30 V）
　　开关时间（trr）：5 ns（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-323

BAS70WS-T1射频开关二极管具有多项优异的电气和物理特性。首先，它具备极短的反向恢复时间（trr），通常为5 ns，这使其非常适合高频开关应用。其次，该器件在高频下的性能稳定，能够支持高达1 GHz以上的射频信号切换，适用于无线通信系统中的射频路径选择和调谐。此外，BAS70WS-T1具有低电容特性，典型值为1.3 pF，在射频电路中可以减少信号损耗和失真，提升整体系统性能。
　　在可靠性方面，BAS70WS-T1具有较高的抗静电能力（ESD）和热稳定性，能够在严苛的环境条件下稳定工作。其采用SOT-323封装，具有良好的机械强度和焊接性能，适用于自动化贴片工艺。此外，该器件的功耗较低，适用于对能效有严格要求的便携式设备和低功耗系统。BAS70WS-T1还具有良好的温度稳定性，可在-55°C至+150°C的宽温度范围内保持稳定的电气性能。

BAS70WS-T1广泛应用于射频和微波通信系统中，例如蜂窝通信基站、Wi-Fi模块、蓝牙设备、GPS接收器以及无线传感器网络。在这些应用中，BAS70WS-T1可用于射频开关、天线调谐、频率合成器和滤波器控制等电路。此外，该器件也可用于射频前端模块（FEM）中的信号路径切换，以及射频放大器的增益控制。由于其高频特性和低插入损耗，BAS70WS-T1在射频自动测试设备（ATE）、测试仪器和射频继电器替代方案中也具有广泛的应用价值。

BAS70-04W, BB130, RF1501, BB131