类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：10A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：最大 0.45Ω（在 Vgs=10V 时）
　　功率耗散(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TSOP（热增强型小型外露焊盘封装）

HXNV0100AVH 采用先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，提供较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高系统效率。其低 Rds(on) 特性使得在高电流工作条件下也能保持较低的温升，从而提升整体系统的稳定性和可靠性。
　　该器件的封装设计具有良好的热管理性能，能够有效地将热量传导至 PCB 板，从而减少对额外散热片的需求，降低整体系统成本。此外，HXNV0100AVH 具有较高的栅极电压容限（±20V），使其在驱动电路设计中具有更高的灵活性和安全性。
　　该 MOSFET 还具备快速开关能力，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器，有助于减小外部电感和电容的尺寸，提高电源系统的功率密度。其高耐用性和良好的雪崩能量承受能力，也使其在电机驱动和负载切换等应用中表现出色。

HXNV0100AVH 主要适用于需要高效率、高可靠性的功率管理电路。常见应用包括车载电子系统、工业电源、电池管理系统（BMS）、DC-DC 转换器、电机驱动器以及高侧/低侧开关电路。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）以及车载充电器（OBC）等关键系统中，提供稳定的功率开关性能。在工业应用中，HXNV0100AVH 可用于 PLC 控制、伺服驱动器和不间断电源（UPS）系统等。
　　由于其优异的热性能和电气特性，HXNV0100AVH 也适合用于紧凑型高功率密度设计，如笔记本电脑适配器、LED 照明驱动器以及智能家电中的电源模块。

SiSS100N10C-T1-GE3, IPB010N10N3 G, STP10NK10Z, FDP10N10