P100NF04是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由STMicroelectronics生产。该器件设计用于高电流、高频率和低导通电阻的应用场合。P100NF04在40V的漏源电压下工作,具有100A的额定漏极电流,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。其封装形式为TO-220或D2PAK(TO-263),适合高功率密度的设计。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):40V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):100A
导通电阻(Rds(on)):约3.8mΩ(典型值,具体取决于测试条件)
最大工作温度:150°C
封装类型:TO-220或D2PAK
P100NF04的主要特性包括极低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提高效率;高电流承载能力,使其适用于大功率应用;快速开关特性,适用于高频开关电路;热稳定性好,能够在较高温度下稳定工作。此外,该MOSFET具有良好的雪崩能量承受能力,提高了器件在苛刻环境下的可靠性。
该器件还具有较高的耐用性,适用于在恶劣工作条件下运行的工业和汽车应用。其栅极驱动电压范围较宽,兼容标准逻辑电平,便于与各种控制电路配合使用。
P100NF04广泛应用于各种功率电子系统中,包括DC-DC降压和升压转换器、电机驱动器、电池管理系统、电源开关、工业自动化设备以及汽车电子系统。在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中,该器件常用于车载充电器、逆变器和能量回收系统。由于其高效率和高可靠性,也常用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等绿色能源应用。
IRF1010E, FDP1010N, IPW90R120I3S, STP100N4F5, STP100NF04