P100NF04 时间：2025/7/22 20:55:36 阅读：6

P100NF04是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由STMicroelectronics生产。该器件设计用于高电流、高频率和低导通电阻的应用场合。P100NF04在40V的漏源电压下工作，具有100A的额定漏极电流，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。其封装形式为TO-220或D2PAK（TO-263），适合高功率密度的设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：40V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：100A
　　导通电阻(Rds(on))：约3.8mΩ（典型值，具体取决于测试条件）
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：TO-220或D2PAK

特性

P100NF04的主要特性包括极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高效率；高电流承载能力，使其适用于大功率应用；快速开关特性，适用于高频开关电路；热稳定性好，能够在较高温度下稳定工作。此外，该MOSFET具有良好的雪崩能量承受能力，提高了器件在苛刻环境下的可靠性。
　　该器件还具有较高的耐用性，适用于在恶劣工作条件下运行的工业和汽车应用。其栅极驱动电压范围较宽，兼容标准逻辑电平，便于与各种控制电路配合使用。

应用

P100NF04广泛应用于各种功率电子系统中，包括DC-DC降压和升压转换器、电机驱动器、电池管理系统、电源开关、工业自动化设备以及汽车电子系统。在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中，该器件常用于车载充电器、逆变器和能量回收系统。由于其高效率和高可靠性，也常用于不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等绿色能源应用。