类型：功率MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：900V
　　最大漏极电流(Id)：4A
　　导通电阻(Rds(on))：2.2Ω（典型值）
　　栅极电荷(Qg)：17nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　漏极击穿电压：900V
　　栅极驱动电压：10V
　　最大功耗：50W

P0904UALRP是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具备出色的导通和开关性能。其最大漏源电压为900V，能够承受高压环境下的工作条件，适用于AC/DC电源转换器、电机驱动和工业控制系统等高电压应用场景。该器件的导通电阻仅为2.2Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，P0904UALRP的栅极电荷为17nC，使得其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗，提高响应速度。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够在高电流和高温环境下保持稳定运行。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种严苛的工作环境。P0904UALRP的封装设计也简化了安装和散热管理，提高了系统的可靠性和耐用性。
　　此外，该器件具有优异的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供额外的保护，增强系统的稳定性。其低栅极电荷和快速开关特性使其适用于高频DC/DC转换器、电源管理模块和电机控制电路等应用。

P0904UALRP广泛应用于多种高功率和高电压的电子系统中。例如，它可用于AC/DC和DC/DC电源转换器，作为主开关元件，提供高效的功率转换。此外，它也适用于电机驱动和逆变器系统，用于控制电机的运行状态和调节输出功率。在工业控制系统中，P0904UALRP可用于继电器替代、电源管理以及高压负载的开关控制。由于其高可靠性和优异的热性能，该器件也常用于LED照明电源、电池管理系统和太阳能逆变器等新兴领域。

P0904UAG, P0904UBE, STW9NK90Z, STP9NK90Z, STW9NK90T