ESDBP5V0Q4 时间：2025/8/16 12:50:12 阅读：16

ESDBP5V0Q4是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的静电放电（ESD）保护二极管阵列，专为高速数据线路和敏感电子元件提供高效可靠的过压保护而设计。该器件采用先进的硅雪崩二极管技术，能够快速响应瞬态电压脉冲，广泛应用于USB、HDMI、以太网等高速接口电路中。该器件采用小型QFN封装，适合在空间受限的便携式设备中使用。

参数

类型：ESD保护二极管阵列
　　通道数：4
　　工作电压：5V
　　反向击穿电压（min）：5.8V
　　钳位电压（max）：12.8V @ Ipp=3.5A
　　最大峰值脉冲电流（Ipp）：3.5A
　　响应时间：<1ns
　　漏电流（max）：100nA @ VRWM
　　封装：QFN

特性

ESDBP5V0Q4采用了四通道双向保护结构，能够有效应对正负双向的ESD冲击，每个通道均可独立保护相应的信号线路。该器件具备低钳位电压和低电容特性，确保在保护高速信号完整性的同时，不会引入明显的信号衰减或失真。其钳位电压在最大峰值电流下保持在12.8V以下，远低于许多传统保护器件，有助于防止下游电路受到损坏。
　　该ESD保护二极管具有极快的响应时间，小于1纳秒，确保在ESD事件发生时迅速将瞬态能量导通至地，从而保护后端电路。此外，其工作温度范围宽，支持-55°C至+150°C，适用于各种恶劣环境条件下的应用。
　　ESDBP5V0Q4的低漏电流特性（最大100nA）使其在正常工作条件下对电路的影响极小，适用于低功耗设计。其QFN封装不仅节省空间，还提供了良好的热性能和机械稳定性，非常适合用于便携式设备和高密度PCB布局。

应用

该器件广泛应用于需要高速信号保护的各类电子产品中，包括但不限于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数字电视、机顶盒、网络设备和工业控制系统。其典型应用包括对USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort、以太网以及其它高速数据接口的ESD保护。在汽车电子系统中，该器件也可用于保护车载娱乐系统和通信模块免受静电放电和瞬态电压的影响。