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P05N-060ST-B-G 发布时间 时间:2025/8/30 2:12:37 查看 阅读:7

P05N-060ST-B-G 是一款由 Littelfuse 生产的 P 沟道功率 MOSFET,常用于电源管理和开关电路中。这款器件设计用于高效率、高可靠性应用,具有低导通电阻和良好的热性能。P05N-060ST-B-G 采用 TO-220 封装,适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

类型:P 沟道 MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):60V
  漏极电流(Id):5A
  导通电阻(Rds(on)):0.12Ω(最大)
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-220

特性

P05N-060ST-B-G 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,具有低导通电阻,能够有效降低导通损耗,提高系统效率。其高耐压特性使其适用于多种电源管理应用。该器件具有良好的热稳定性和高可靠性,能够在恶劣环境下稳定工作。此外,P05N-060ST-B-G 的 TO-220 封装形式便于安装和散热,适用于高功率密度设计。该 MOSFET 还具有快速开关能力,适用于高频开关应用,减少了开关损耗并提高了整体系统效率。其栅极驱动电压范围较宽,兼容多种驱动电路设计,增强了设计灵活性。
  此外,P05N-060ST-B-G 还具有较强的抗浪涌电流能力和良好的短路保护性能,适合用于需要高可靠性的电源系统中。其低栅极电荷(Qg)特性有助于减少驱动电路的功耗,提高整体能效。同时,该器件符合 RoHS 环保标准,适用于现代绿色电子产品设计。

应用

P05N-060ST-B-G 常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制、逆变器和工业自动化设备等应用中。由于其高可靠性和低导通电阻,该 MOSFET 特别适用于需要高效率和高稳定性的电源系统。它也常用于开关电源(SMPS)、LED 驱动器和电机控制电路中。此外,P05N-060ST-B-G 还适用于便携式设备和汽车电子系统的电源管理模块,提供稳定的功率控制和高效的能量转换。在工业控制系统中,该器件可作为高侧开关使用,实现对负载的精确控制和高效能管理。

替代型号

Si4435DY-T1-GE3, FDPF05N60, IRF9540N

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P05N-060ST-B-G参数

  • 数据列表Short Form Catalog
  • 标准包装1,500
  • 类别连接器,互连式
  • 家庭板对板 - 阵列,边缘类型,包厢
  • 系列P05N
  • 连接器类型插口,外罩触点
  • 位置数60
  • 间距0.020"(0.50mm)
  • 行数2
  • 安装类型表面贴装
  • 特点固定焊尾
  • 触点表面涂层
  • 触点涂层厚度8µin(0.20µm)
  • 包装带卷 (TR)
  • 配接层叠高度4mm,5mm,6mm
  • 板上方高度0.120"(3.05mm)
  • 配套产品3M9696DKR-ND - CONN PLUG 60POS .5MM VERT SMD3M9696CT-ND - CONN PLUG 60POS .5MM VERT SMD3M9696TR-ND - CONN PLUG 60POS .5MM VERT SMD3M9668DKR-ND - CONN PLUG 60POS .5MM VERT SMD3M9667DKR-ND - CONN PLUG 60POS .5MM VERT SMD3M9668CT-ND - CONN PLUG 60POS .5MM VERT SMD3M9667CT-ND - CONN PLUG 60POS .5MM VERT SMD3M9668TR-ND - CONN PLUG 60POS .5MM VERT SMD3M9667TR-ND - CONN PLUG 60POS .5MM VERT SMD
  • 其它名称0-00-48011-46312-4150201461043M9670TR480114631248011463124P05N060STBG