P05N-060ST-B-G 是一款由 Littelfuse 生产的 P 沟道功率 MOSFET,常用于电源管理和开关电路中。这款器件设计用于高效率、高可靠性应用,具有低导通电阻和良好的热性能。P05N-060ST-B-G 采用 TO-220 封装,适用于各种工业和消费类电子产品。
类型:P 沟道 MOSFET
漏极-源极电压(Vds):60V
漏极电流(Id):5A
导通电阻(Rds(on)):0.12Ω(最大)
栅极-源极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220
P05N-060ST-B-G 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,具有低导通电阻,能够有效降低导通损耗,提高系统效率。其高耐压特性使其适用于多种电源管理应用。该器件具有良好的热稳定性和高可靠性,能够在恶劣环境下稳定工作。此外,P05N-060ST-B-G 的 TO-220 封装形式便于安装和散热,适用于高功率密度设计。该 MOSFET 还具有快速开关能力,适用于高频开关应用,减少了开关损耗并提高了整体系统效率。其栅极驱动电压范围较宽,兼容多种驱动电路设计,增强了设计灵活性。
此外,P05N-060ST-B-G 还具有较强的抗浪涌电流能力和良好的短路保护性能,适合用于需要高可靠性的电源系统中。其低栅极电荷(Qg)特性有助于减少驱动电路的功耗,提高整体能效。同时,该器件符合 RoHS 环保标准,适用于现代绿色电子产品设计。
P05N-060ST-B-G 常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制、逆变器和工业自动化设备等应用中。由于其高可靠性和低导通电阻,该 MOSFET 特别适用于需要高效率和高稳定性的电源系统。它也常用于开关电源(SMPS)、LED 驱动器和电机控制电路中。此外,P05N-060ST-B-G 还适用于便携式设备和汽车电子系统的电源管理模块,提供稳定的功率控制和高效的能量转换。在工业控制系统中,该器件可作为高侧开关使用,实现对负载的精确控制和高效能管理。
Si4435DY-T1-GE3, FDPF05N60, IRF9540N