时间：2025/8/30 2:12:37
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P05N-060ST-B-G 是一款由 Littelfuse 生产的 P 沟道功率 MOSFET，常用于电源管理和开关电路中。这款器件设计用于高效率、高可靠性应用，具有低导通电阻和良好的热性能。P05N-060ST-B-G 采用 TO-220 封装，适用于各种工业和消费类电子产品。
类型：P 沟道 MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：60V
漏极电流（Id）：5A
导通电阻（Rds(on)）：0.12Ω（最大）
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
P05N-060ST-B-G 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，具有低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压特性使其适用于多种电源管理应用。该器件具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在恶劣环境下稳定工作。此外，P05N-060ST-B-G 的 TO-220 封装形式便于安装和散热，适用于高功率密度设计。该 MOSFET 还具有快速开关能力，适用于高频开关应用，减少了开关损耗并提高了整体系统效率。其栅极驱动电压范围较宽，兼容多种驱动电路设计，增强了设计灵活性。
此外，P05N-060ST-B-G 还具有较强的抗浪涌电流能力和良好的短路保护性能，适合用于需要高可靠性的电源系统中。其低栅极电荷（Qg）特性有助于减少驱动电路的功耗，提高整体能效。同时，该器件符合 RoHS 环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。
P05N-060ST-B-G 常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制、逆变器和工业自动化设备等应用中。由于其高可靠性和低导通电阻，该 MOSFET 特别适用于需要高效率和高稳定性的电源系统。它也常用于开关电源（SMPS）、LED 驱动器和电机控制电路中。此外，P05N-060ST-B-G 还适用于便携式设备和汽车电子系统的电源管理模块，提供稳定的功率控制和高效的能量转换。在工业控制系统中，该器件可作为高侧开关使用，实现对负载的精确控制和高效能管理。
Si4435DY-T1-GE3, FDPF05N60, IRF9540N
