时间：2025/8/30 0:33:19
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P05N-040ST-B-G 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关和电池供电设备等领域。该器件采用先进的技术，提供高效的功率转换能力，并具备良好的热稳定性和低导通电阻特性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：5A（在25°C）
功耗(Pd)：1.4W
工作温度：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-220
导通电阻(Rds(on))：0.035Ω（典型值，Vgs=10V）
阈值电压(Vgs(th))：1.1V ~ 2.5V
P05N-040ST-B-G MOSFET 具备多项优良特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备较高的电流承载能力，能够在相对较小的封装中提供出色的功率处理性能，适用于紧凑型电源设计。
其采用的 TO-220 封装具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定运行。栅极驱动电压范围宽，可在 10V 左右实现完全导通，确保开关损耗较低。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下运行，适用于工业级和车载应用。其低栅极电荷（Qg）也使得该器件在高频开关应用中表现优异，从而减少开关损耗并提高整体效率。
此外，P05N-040ST-B-G 的设计符合 RoHS 环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于环保型电子产品设计。
P05N-040ST-B-G MOSFET 主要应用于各类电源系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电机控制电路。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件非常适合用于电池管理系统（BMS）、电源分配系统以及便携式电子设备中的功率开关。
此外，它还可用于工业自动化设备、电源管理模块、LED 照明驱动器以及汽车电子系统，如车载充电器、启动系统和电动助力转向系统。其优异的热性能和稳定性也使其在高温环境下的应用中表现出色。
STP55NF06L, IRFZ44N, FDP5N50, IRLZ44N
