P030RV11 时间：2025/8/27 21:37:55 阅读：6

P030RV11是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能和高可靠性应用而设计。这款器件采用了先进的平面工艺技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于多种电源管理和功率控制场合。其封装形式为TO-220，便于安装和散热，适合在需要较高电流和电压处理能力的电路中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.018Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-220

特性

P030RV11具有低导通电阻的特性，这使得它在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。其高开关速度确保了在高频应用中能够快速响应，减少开关损耗，从而进一步提高能效。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温度环境下保持稳定的工作性能，延长使用寿命。TO-220封装设计提供了优良的散热能力，确保在高电流负载下仍能保持较低的工作温度，避免过热导致的性能下降或损坏。该器件还具备较高的耐压能力，能够在较宽的电压范围内可靠工作，适应不同的电源管理需求。由于其优异的电气特性和热管理能力，P030RV11广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关、电池管理系统等高要求的电子系统中。