BD250是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理、电机控制、负载开关和工业自动化等领域。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性,适用于中高功率应用。BD250采用TO-220封装形式,便于安装和散热。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):500V
连续漏极电流(ID):8A
导通电阻(RDS(on)):0.35Ω(典型值)
栅极阈值电压(VGS(th)):2V至4V
最大功耗(PD):50W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220
BD250的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于减少导通损耗,提高系统效率。该MOSFET的RDS(on)典型值为0.35Ω,在高电流应用中能够有效降低功率损耗,减少发热。
此外,BD250具有高达500V的漏源电压能力,使其适用于高压电源和工业控制电路。该器件的连续漏极电流为8A,适用于驱动中小型负载,如继电器、小型电机或LED照明系统。
其TO-220封装提供了良好的散热性能,确保在高功率运行下的稳定性与可靠性。这种封装形式也便于在PCB上安装和焊接,适用于自动化生产流程。
BD250还具备良好的抗雪崩能力,能够在瞬态电压冲击下保持稳定工作,提高了器件的耐用性和系统安全性。此外,其栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V至15V驱动电压,兼容多种驱动电路和控制芯片。
BD250常用于电源开关、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制电路。其高耐压和中等电流能力使其成为通用功率MOSFET的理想选择。
例如,在开关电源(SMPS)中,BD250可用于主开关晶体管,负责能量的高效传输与转换。在电机驱动电路中,它可用于H桥结构中的高端或低端开关,实现电机的正反转控制。
此外,BD250也适用于电池管理系统(BMS)、UPS不间断电源、LED驱动电源等应用。在这些系统中,BD250可以作为主开关或保护开关使用,确保系统的安全运行。
由于其良好的热稳定性和抗干扰能力,BD250也被广泛用于家电控制电路、智能电表和工业传感器模块等场合。
IRF840, FDPF840, 2SK2545