时间：2025/8/5 3:31:53
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P0165EL 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。这款MOSFET采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等多种应用场景。P0165EL 通常采用TO-220或DPAK等封装形式，便于在各种电路设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：约1.65mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：约170nC（典型值）
最大功耗（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220、DPAK（具体取决于制造商的变种）
P0165EL 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得在高电流条件下能够显著降低功率损耗，提高整体系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，确保了优异的导通性能和开关速度之间的平衡。此外，P0165EL 具有较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定运行。其高耐压特性（100V）使其适用于多种高压功率转换应用。该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持可靠运行，适用于工业级和汽车电子系统。P0165EL 还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。此外，其封装设计便于散热，适合需要高功率密度的设计需求。
P0165EL 常用于各种高功率和高效率的电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电源管理系统以及工业自动化设备。由于其具备高电流、低导通电阻和良好的热性能，P0165EL 也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统（BMS）和电动工具等。此外，在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和服务器电源等高可靠性应用中，P0165EL 同样表现出色。
STP80NF10, IRF1405, FDP80N10, IPW90R120C3
