产品类型：同步整流控制器
　　拓扑结构：反激式次级侧同步整流
　　工作模式：DCM / QR模式兼容
　　封装形式：SOT-26
　　引脚数：6
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　结温：150°C
　　供电电压范围（VDD）：典型7V至32V
　　启动电流：低于10μA
　　静态电流：约180μA
　　关断电流：小于1μA
　　驱动能力：峰值拉电流/灌电流达1A
　　开关频率支持：最高可达500kHz
　　导通延迟时间：典型值约35ns
　　关断延迟时间：典型值约25ns
　　栅极驱动电压钳位：约9.5V（内部稳压）
　　UVLO阈值：开启电压约6.5V，关闭电压约4.7V

DFLS1200-7的核心特性之一是其智能检测机制，能够准确识别反激变换器中次级绕组的导通与截止时刻，从而精确控制外部MOSFET的开关时序。这种自适应导通控制技术无需额外的隔离反馈信号或复杂时序设置，即可实现高效可靠的同步整流操作。特别是在准谐振（Quasi-Resonant, QR）模式下工作的电源系统中，DFLS1200-7能够动态响应不同的谷底切换时机，确保MOSFET在最低漏源电压时导通，最大限度地减少开关损耗。同时，在断续导电模式（DCM）下，它也能保持稳定的导通与关断判断，防止误触发或交叉导通现象的发生。
　　为了增强系统鲁棒性，DFLS1200-7内置了多重保护功能。例如，当芯片温度过高时，集成的热关断电路会自动禁用输出驱动，防止器件因过热损坏；一旦温度回落至安全范围，设备将自动恢复运行。此外，欠压锁定（UVLO）机制确保只有在VDD电压达到稳定工作水平后才允许驱动信号输出，避免了低电压状态下MOSFET驱动不足导致的非正常导通或震荡问题。对于瞬态负载变化或短路事件，控制器具备快速响应能力，可在微秒级时间内切断驱动信号，保护功率MOSFET免受过流冲击。
　　该器件还优化了电磁干扰（EMI）性能。通过控制MOSFET的开关边沿速率，DFLS1200-7有效抑制了高频噪声的产生，有助于满足国际EMI标准（如CISPR 32）。其低静态电流设计（仅约180μA）显著降低了待机功耗，使电源系统更容易通过能源之星（Energy Star）或欧盟CoC Tier 2等高能效认证要求。配合小型SOT-26封装，DFLS1200-7不仅节省PCB空间，还提升了功率密度，非常适合用于追求轻薄化和高集成度的消费类电子产品电源设计。

DFLS1200-7广泛应用于各类中小型功率AC-DC电源系统中，尤其适合需要高效率和高功率密度的适配器与充电器产品。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑的USB Type-C PD充电器，尤其是那些支持30W及以上输出功率的设计。在这些应用中，同步整流技术可以显著降低次级侧的导通损耗，提升整体转换效率，帮助产品满足日益严格的能效法规要求。此外，该器件也常用于电视机、显示器中的辅助电源（standby power supply），在待机状态下维持极低功耗的同时保证主电源的快速唤醒能力。
　　在智能家居设备、路由器、网络摄像头等物联网终端设备中，DFLS1200-7同样表现出色，因其高集成度和低外围元件需求，可有效缩小电源模块体积，降低制造成本。工业级电源模块和LED照明驱动电源也是其潜在应用领域，尤其是在对可靠性和长期稳定性有较高要求的环境中。得益于其宽工作电压范围和良好的温度适应性，DFLS1200-7可在恶劣环境下稳定运行，适用于全球通用输入电压（90VAC–264VAC）的电源设计。此外，由于其兼容多种控制模式（如QR和DCM），它可以灵活搭配不同的初级侧控制器（如PWM或数字控制器），形成完整的高效反激电源解决方案，适用于从5W到100W范围内的多种功率等级设计。

APSR1215N
　　MP6908A
　　SG6001
　　INN3377C