时间：2025/12/28 19:20:55
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P0080LC是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要设计用于高效率、高功率密度的电源管理系统，适用于诸如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关、电池充电电路等应用。P0080LC采用了先进的平面工艺技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和高电流承载能力的特点，是一款N沟道增强型MOSFET。其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适合在各种工业和消费类电子产品中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A（在Tc=25℃）
功耗（Ptot）：160W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-220
导通电阻（Rds(on)）：约0.0045Ω（典型值）
阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
漏极电容（Ciss）：约2000pF
P0080LC具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其极低的导通电阻可以显著降低导通损耗，提高电源转换效率，从而减少发热并提高系统的可靠性。其次，该MOSFET具备高电流承载能力，可以在高负载条件下稳定工作。此外，P0080LC的封装设计具备良好的散热性能，能够有效将热量传导到散热片，从而提升整体系统的热稳定性。该器件还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。P0080LC还具有较高的耐用性和抗干扰能力，能够适应较为恶劣的工作环境，如高温、高湿度或电磁干扰较强的工业现场。
P0080LC广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。它常见于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及各种开关电源（SMPS）设计中。由于其高电流和低导通电阻的特性，P0080LC也常用于大功率负载开关、逆变器和UPS（不间断电源）系统。此外，它还适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具、电动车动力系统等对性能和可靠性要求较高的应用场合。
IRF1405, STP80NF55, FDP80N06S
