时间:2025/12/27 4:31:33
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OZ505LN是一款由Onsemi(安森美)公司生产的高效率、低功耗的同步整流控制器芯片,专为反激式(Flyback)电源拓扑中的同步整流应用而设计。该器件通过检测功率MOSFET的漏源极电压来智能控制外部N沟道MOSFET的导通与关断,从而替代传统二极管整流器,显著降低整流损耗,提高整体电源转换效率。OZ505LN广泛应用于中小功率适配器、充电器、开放框架电源以及消费类电子产品中,满足能源之星、CoC Tier 2等全球能效标准要求。其紧凑的封装形式和高度集成的设计使其成为追求高效率与小型化电源方案的理想选择。芯片具备多种保护机制,包括过温保护、欠压锁定(UVLO)以及抗噪声能力强的栅极驱动电路,确保在各种负载条件和输入环境下稳定运行。此外,OZ505LN采用自供电架构,无需额外偏置绕组,简化了变压器设计并降低了系统成本。
工作电压范围:4.5V ~ 18V
启动电流:≤10μA
工作频率范围:30kHz ~ 200kHz
关断时间可调范围:典型值30ns ~ 300ns
输出驱动能力:峰值拉电流/灌电流±0.5A
传播延迟时间:典型值60ns
关断阈值电压:典型值-50mV
封装形式:SOT-23-6
工作结温范围:-40°C ~ +150°C
引脚数:6
安装类型:表面贴装
OZ505LN的核心特性在于其先进的电压检测型同步整流控制技术,能够精确识别副边MOSFET的导通时机,避免因误触发导致的体二极管导通或反向电流问题,从而最大化效率提升效果。该芯片采用负电压关断检测机制,当MOSFET的漏源电压低于预设的负阈值(典型-50mV)时,控制器迅速关闭外部MOSFET,有效防止反向电流流过MOSFET沟道,避免能量倒灌和发热问题。同时,内部集成了快速响应比较器和驱动电路,确保在高频开关环境下仍能保持稳定的控制性能。
为了增强系统可靠性,OZ505LN内置了多项保护功能。例如,芯片具备欠压锁定(UVLO)机制,在VDD电压未达到正常工作范围前禁止输出驱动信号,防止MOSFET在低电压下出现非饱和导通而导致过热损坏。此外,芯片还具有热关断保护功能,当结温超过安全限值时自动关闭输出,待温度恢复后重新启动,保障长期运行的安全性。驱动输出级设计优化,具备较强的抗噪能力和快速上升/下降时间,减少开关交叠时间,进一步降低损耗。
另一个关键优势是其灵活的关断延迟调节能力。通过外部连接在TD引脚上的电阻或RC网络,用户可以精确设定MOSFET的最小关断时间,以适应不同变压器漏感和布局带来的寄生效应,避免误开通现象。这种可配置性使得OZ505LN能够兼容多种反激拓扑设计,提升了设计灵活性。同时,芯片支持宽范围的工作频率(最高达200kHz),适用于从轻载到满载的全负载区间高效运行,并能在CCM(连续导通模式)、DCM(断续导通模式)及准谐振(QR)模式下稳定工作。
OZ505LN采用SOT-23-6小型化封装,节省PCB空间,适合高密度电源设计。其低静态电流和自供电特性也使其在空载或待机状态下功耗极低,有助于满足严格的待机能耗标准。总体而言,OZ505LN以其高集成度、高效率、高可靠性和易用性,成为现代高效电源适配器中不可或缺的关键控制元件。
OZ505LN主要用于各类基于反激拓扑的AC-DC电源转换系统中,作为次级侧同步整流控制器,广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑的电源适配器和充电器设计。由于其高效的能量转换能力和紧凑的封装尺寸,特别适合对体积和效率有严格要求的便携式电子设备供电方案。此外,该芯片也常见于智能家居设备、路由器、机顶盒、LED照明驱动电源以及工业传感器供电模块等需要高能效和高可靠性的应用场景。
在USB PD快充或多口充电站中,OZ505LN可用于多路输出中的某一路同步整流控制,帮助实现更高的整体效率和更低的温升。其良好的动态响应能力使其能够在负载突变时快速调整MOSFET的导通状态,维持输出电压稳定。同时,由于其支持多种工作模式(如DCM、CCM和QR),OZ505LN也能很好地匹配主控IC的工作方式,实现协同优化,提升整个电源系统的性能表现。
在绿色能源政策推动下,越来越多的产品要求满足六级能效或欧盟CoC V5 Tier 2标准,OZ505LN凭借其出色的轻载效率和低待机功耗表现,成为实现这些合规目标的重要技术手段。此外,由于其无需辅助绕组供电,简化了变压器设计流程,降低了生产成本,因此在大批量消费类电子产品中具有显著的成本效益优势。无论是用于原厂配套电源还是第三方认证电源模块,OZ505LN都能提供稳定可靠的同步整流解决方案。
NCP4308, FAN6208, MP6908A