时间：2025/6/11 19:59:27
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FQU2N60C 是一款 N 沣道通 (Fairchild Semiconductor，现为 ON Semiconductor) 生产的高压功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 封装形式，适用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用场合。
这款 MOSFET 的设计特点是低导通电阻和快速开关性能，能够有效降低传导损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（典型值）：1.3Ω
栅极阈值电压：4V
总功耗：1.1W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
FQU2N60C 具有高雪崩能力，能够在过载条件下提供额外保护。同时其优化的 RDS(on) 值确保了高效的功率转换。
它还具备低输入电容和输出电容，这有助于减少开关过程中的能量损失。
此外，该器件具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。
FQU2N60C 的封装采用了标准的 TO-252，便于表面贴装和散热设计，适合各种工业及消费类电子设备。
FQU2N60C 广泛应用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电池充电器、LED 驱动电路以及家用电器中的电机控制等领域。
由于其出色的耐压能力和效率表现，也常用于需要高可靠性的工业控制系统中。
FDP18N60C, IRF650N
