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ORPC-845S-C-G 发布时间 时间:2025/5/30 16:06:07 查看 阅读:9

ORPC-845S-C-G是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率和低损耗应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和快速开关特性,适用于多种电力电子设备中的功率转换和开关功能。
  这款MOSFET芯片通常用于电源管理、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率处理的应用场景中。其封装形式和电气性能确保了良好的散热特性和可靠性。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:35nC
  总功耗:180W
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

ORPC-845S-C-G的主要特性包括:
  1. 高耐压能力,可承受高达600V的漏源电压,适合高压环境下的应用。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为0.18Ω,在大电流条件下显著降低功率损耗。
  3. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷,有助于提高系统的工作效率。
  4. 支持宽广的工作温度范围,从-55℃到+150℃,适应各种恶劣环境。
  5. 稳定可靠的性能表现,经过严格的质量测试,保证长时间使用中的稳定性。

应用

ORPC-845S-C-G广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC转换器。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 太阳能逆变器及不间断电源(UPS)系统。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 各种需要高效功率开关的应用场景,例如LED驱动和电池充电管理等。

替代型号

IRF840, STP12NK60Z, FDP18N60