时间：2025/5/30 16:06:07
阅读：16
ORPC-845S-C-G是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率和低损耗应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和快速开关特性，适用于多种电力电子设备中的功率转换和开关功能。
这款MOSFET芯片通常用于电源管理、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率处理的应用场景中。其封装形式和电气性能确保了良好的散热特性和可靠性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：12A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：35nC
总功耗：180W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
ORPC-845S-C-G的主要特性包括：
1. 高耐压能力，可承受高达600V的漏源电压，适合高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为0.18Ω，在大电流条件下显著降低功率损耗。
3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷，有助于提高系统的工作效率。
4. 支持宽广的工作温度范围，从-55℃到+150℃，适应各种恶劣环境。
5. 稳定可靠的性能表现，经过严格的质量测试，保证长时间使用中的稳定性。
ORPC-845S-C-G广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器及不间断电源(UPS)系统。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 各种需要高效功率开关的应用场景，例如LED驱动和电池充电管理等。
IRF840, STP12NK60Z, FDP18N60
