ORPC-845S-C-G是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率和低损耗应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和快速开关特性,适用于多种电力电子设备中的功率转换和开关功能。
这款MOSFET芯片通常用于电源管理、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率处理的应用场景中。其封装形式和电气性能确保了良好的散热特性和可靠性。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:12A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:35nC
总功耗:180W
工作温度范围:-55℃ to 150℃
ORPC-845S-C-G的主要特性包括:
1. 高耐压能力,可承受高达600V的漏源电压,适合高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为0.18Ω,在大电流条件下显著降低功率损耗。
3. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷,有助于提高系统的工作效率。
4. 支持宽广的工作温度范围,从-55℃到+150℃,适应各种恶劣环境。
5. 稳定可靠的性能表现,经过严格的质量测试,保证长时间使用中的稳定性。
ORPC-845S-C-G广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器及不间断电源(UPS)系统。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 各种需要高效功率开关的应用场景,例如LED驱动和电池充电管理等。
IRF840, STP12NK60Z, FDP18N60