时间：2025/6/18 21:28:48
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OR-3H7C-TP-G-(CG) 是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、低损耗的应用场景设计。该芯片采用先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和快速的开关速度，非常适合用于电源管理、电机驱动以及各类功率转换电路中。其封装形式经过优化，有助于提高散热性能和系统可靠性。
该器件在高频工作条件下表现出色，能够显著降低能量损耗，提升整体系统的能效比。
型号：OR-3H7C-TP-G-(CG)
类型：N沟道功率MOSFET
VDS（漏源极电压）：650V
RDS(on)（导通电阻）：120mΩ
ID（连续漏极电流）：14A
Qg（栅极电荷）：45nC
f（工作频率范围）：10kHz - 1MHz
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
绝缘耐压：3750Vrms
OR-3H7C-TP-G-(CG) 的主要特性包括：
1. 高击穿电压，适合高压应用场景，如开关电源和逆变器。
2. 极低的导通电阻RDS(on)，有效减少导通损耗，提高系统效率。
3. 快速开关能力，支持高频应用，降低开关损耗。
4. 内置静电防护功能，增强芯片的抗干扰能力。
5. 热稳定性好，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
6. 封装形式兼容性强，易于安装和集成到现有系统中。
7. 提供优异的动态性能和稳定的静态参数。
这款芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电机驱动控制，例如无刷直流电机（BLDC）驱动。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
4. LED驱动器和照明控制系统。
5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子中的启动马达控制及负载切换。
7. UPS不间断电源和电池管理系统（BMS）。
IRF840, FQP13N25, STP14NM65
