时间：2025/11/4 15:20:20
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HMC787LC3BTR是一款由Analog Devices（ADI）公司生产的高性能、低噪声、固定频率的硅锗（SiGe）压控振荡器（VCO），主要用于微波和射频通信系统中。该器件集成了一个固定调谐范围的电压控制振荡器，输出频率为12.9 GHz至13.5 GHz，适用于需要高稳定性和低相位噪声的高频应用场合。HMC787LC3BTR采用先进的SiGe工艺制造，具有优异的噪声性能和温度稳定性，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内可靠工作。该VCO设计用于与锁相环（PLL）电路配合使用，构成完整的频率合成解决方案，广泛应用于点对点微波无线电、毫米波通信、测试与测量设备以及雷达系统等高端射频系统中。封装形式为无引脚的6端子陶瓷基板芯片级封装（SMT），便于在高频PCB布局中实现紧凑且高效的集成。该器件符合RoHS环保标准，并支持回流焊工艺，适合自动化表面贴装生产。
型号：HMC787LC3BTR
制造商：Analog Devices
类型：压控振荡器（VCO）
输出频率范围：12.9 GHz 至 13.5 GHz
调谐电压范围：0 V 至 14 V
输出功率：典型值 +5 dBm
相位噪声：-105 dBc/Hz @ 100 kHz 偏移，-120 dBc/Hz @ 1 MHz 偏移
供电电压：5 V（Vcc）
电流消耗：典型值 75 mA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：6端子陶瓷基板芯片级封装（SMT）
阻抗匹配：50 Ω
安装方式：表面贴装
技术工艺：硅锗（SiGe）
HMC787LC3BTR具备卓越的相位噪声性能，这是其在高端射频系统中得以广泛应用的核心优势之一。在13.2 GHz中心频率下，该VCO可实现-105 dBc/Hz@100 kHz偏移和-120 dBc/Hz@1 MHz偏移的超低相位噪声表现，显著优于同类GaAs或CMOS架构的VCO器件。这种优异的噪声特性使得它非常适合用于高阶调制通信系统（如QPSK、16QAM及以上），能够有效降低误码率并提升链路预算裕量。其内部采用优化设计的谐振器结构和负阻生成电路，确保在整个调谐范围内频率响应平滑且无跳模现象。此外，HMC787LC3BTR具有良好的输出功率稳定性，在全频段内输出功率波动小于±1 dB，避免了后续放大器因输入信号波动而导致非线性失真。
该器件采用SiGe异质结双极晶体管（HBT）工艺制造，兼具高截止频率、低功耗与良好热稳定性的优点。相比传统的GaAs VCO，SiGe工艺更易于与数字电路集成，并具备更高的良率和可靠性。HMC787LC3BTR内置缓冲放大器，提供50Ω输出阻抗匹配，可直接驱动后级混频器、分频器或功率放大器，无需额外的匹配网络，从而简化了射频前端设计复杂度。调谐电压接口具有宽达0–14V的输入范围，兼容大多数商用PLL电荷泵输出，便于系统集成。其陶瓷封装不仅提供了出色的散热性能，还保证了高频下的电气完整性，最大限度减少寄生效应。在环境适应性方面，器件经过严格的老化测试和温度循环验证，可在恶劣工业环境中长期稳定运行，满足电信级设备的可靠性要求。
HMC787LC3BTR主要应用于需要极高频率稳定性和低相位噪声的微波通信系统中。典型应用场景包括E频段（13 GHz附近）点对点无线回传系统，这类系统通常用于城市间或基站之间的高速数据传输，要求载波纯净度高以支持高阶调制格式。此外，该器件也广泛用于测试与测量仪器，如信号发生器、频谱分析仪和矢量网络分析仪中的本振源模块，为系统提供精确而稳定的参考频率。在雷达系统中，尤其是相控阵雷达和多普勒雷达，HMC787LC3BTR可作为本地振荡器为收发通道提供上变频或下变频所需的激励信号，其低噪声特性有助于提高目标检测灵敏度和距离分辨率。在卫星通信地面站设备中，该VCO可用于上下行链路的频率合成子系统，配合高性能PLL芯片（如ADF41513或HMC863）构建完整的频率合成器。科研领域中，该器件也被用于毫米波实验平台、量子计算控制系统以及高精度时钟分配网络中。由于其表面贴装封装形式和小型化设计，特别适合空间受限的紧凑型射频模块开发，例如毫米波前端IC测试板、雷达传感器评估板等。同时，因其工作频率接近大气衰减窗口，也可用于气象监测或环境感知类系统的本地振荡需求。
HMC786LC3BTR
HMC788LC3BTR
HMC513A
