您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > OP113F

OP113F 发布时间 时间:2025/11/4 23:43:04 查看 阅读:25

OP113F是一款由Analog Devices(亚德诺半导体)生产的精密双极性运算放大器,属于OP113系列。该器件专为需要高精度、低功耗和单电源工作的应用而设计。OP113F采用先进的晶圆制造工艺,具有极低的输入偏置电流、低失调电压以及出色的共模抑制比(CMRR)和电源抑制比(PSRR),适用于对信号完整性要求较高的精密测量系统。其内部电路经过激光微调,确保了初始失调电压非常低,并且在整个工作温度范围内保持稳定。OP113F的工作电压范围较宽,支持单电源供电(+3V至+36V)或双电源供电(±1.5V至±18V),使其能够灵活应用于多种工业、医疗和测试设备中。此外,该器件具备过载恢复保护功能,在输出饱和后能快速恢复正常工作状态,增强了系统的可靠性。OP113F封装形式通常为SOIC-8或DIP-8,便于在PCB上布局与焊接,同时兼容自动化装配流程。由于其优异的直流性能和稳定性,OP113F常被用于传感器接口、应变仪放大、热电偶信号调理、低电平信号放大等场合。

参数

类型:精密运算放大器
  通道数:1
  电源电压(单电源):+3V 至 +36V
  电源电压(双电源):±1.5V 至 ±18V
  输入失调电压:典型值 0.3mV,最大值 1mV
  输入失调电压温漂:典型值 2μV/°C
  输入偏置电流:典型值 30pA
  增益带宽积(GBW):典型值 800kHz
  压摆率(Slew Rate):典型值 0.3V/μs
  电压噪声密度(1kHz):典型值 30nV/√Hz
  共模抑制比(CMRR):典型值 120dB
  电源抑制比(PSRR):典型值 120dB
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOIC-8, DIP-8

特性

OP113F具备卓越的直流精度性能,这使其在高精度模拟信号处理领域表现出色。其输入失调电压经过激光 trimming 处理,典型值仅为 0.3mV,最大不超过 1mV,确保在零输入条件下输出误差极小,这对于需要长期稳定性和高线性度的应用至关重要。更值得一提的是,该器件的输入失调电压温漂典型值为 2μV/°C,意味着即使在环境温度剧烈变化的情况下,其偏移误差也能维持在一个非常低的水平,避免因温度变化引入额外的测量偏差。这种稳定的温度特性特别适合部署在户外或工业现场等温差较大的环境中使用。
  另一个显著特点是其极低的输入偏置电流,典型值仅为 30pA。这一特性使得 OP113F 非常适合驱动高阻抗信号源,例如光电二极管、离子选择性电极或压电传感器等,能够在不显著加载信号源的情况下完成精确放大。同时,器件拥有高达 120dB 的共模抑制比和电源抑制比,有效抑制来自共模干扰和电源波动的影响,提升信噪比和系统抗干扰能力。其增益带宽积为 800kHz,虽然不属于高速运放范畴,但足以满足大多数低频精密放大需求,如称重传感器、桥式电路放大和数据采集前端等。
  OP113F 支持宽电压范围供电,既可采用 +3V 单电源工作,也可使用 ±18V 双电源,提供了极大的设计灵活性。它还具备良好的过载恢复能力,当输入超出正常范围导致输出饱和时,能够迅速恢复正常响应,减少系统故障时间。整体而言,OP113F 是一款集高精度、低漂移、低功耗和强鲁棒性于一体的精密运放,广泛用于要求严苛的模拟信号链中。

应用

OP113F 主要应用于需要高精度信号放大的电子系统中。常见用途包括工业过程控制中的传感器信号调理,例如压力、温度和流量传感器的微弱信号放大。在称重系统和电子天平中,由于其低失调电压和低漂移特性,能够准确放大惠斯通电桥输出的毫伏级信号,提高称量精度。在医疗设备领域,如心电图(ECG)前置放大器、血糖仪和便携式监护仪中,OP113F 能够可靠地处理低电平生物电信号,同时抑制共模干扰,保障患者安全和测量准确性。此外,该器件也适用于电池供电的便携式仪器,因其可在低至 +3V 的单电源下稳定工作,有助于延长设备续航时间。在数据采集系统(DAQ)中,作为模拟前端的增益级,OP113F 可有效提升ADC的输入信号质量。其他应用场景还包括热电偶信号放大、应变计接口、精密电压基准缓冲器以及低噪声跨阻放大器(TIA)等。凭借其出色的直流性能和稳定性,OP113F 成为众多高可靠性模拟设计中的首选运放之一。

替代型号

OP113FPZ

OP113F推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

OP113F资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载