MBN1200GR17 时间：2025/12/28 16:57:42 阅读：11

MBN1200GR17 是由 Rohm（罗姆）公司生产的一款 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 HUMLF（High-UMate Flat Lead）封装形式，适用于高功率密度设计，广泛应用于汽车电子、电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。MBN1200GR17 具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（1200V）以及高电流承载能力的特点，能够在高温环境下稳定运行，符合 AEC-Q101 汽车电子可靠性标准。

参数

类型：N沟道功率MOSFET
　　漏源电压(Vds)：1200V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：14A
　　导通电阻(Rds(on))：0.36Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：HUMLF
　　功率耗散(Pd)：180W
　　输入电容(Ciss)：3200pF（典型值）
　　短路耐受能力：有
　　符合标准：AEC-Q101

特性

MBN1200GR17 具备一系列优异的电气和热性能，适用于高可靠性及高功率应用场景。其最大漏源电压为 1200V，能够承受高压工作环境，适用于高电压系统如电动车充电器、太阳能逆变器等。该 MOSFET 的导通电阻最大为 0.36Ω，在高温下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。
　　此外，MBN1200GR17 支持高达 14A 的连续漏极电流，具备良好的电流承载能力，适用于电机驱动和大功率 DC-DC 转换器。其 HUMLF 封装具备良好的散热性能，能够有效降低结温，提升器件的长期可靠性。

应用

MBN1200GR17 广泛应用于汽车电子系统、工业电源、电机控制、光伏逆变器、电动车充电设备、DC-DC 转换器等高功率密度和高可靠性要求的领域。其 AEC-Q101 认证使其特别适用于车载应用，如 OBC（车载充电器）、EPS（电动助力转向）系统、48V 微混系统等。同时，该器件也适用于工业自动化、智能电网、UPS（不间断电源）等需要高耐压、低导通电阻的系统设计。