ONET1131EC是一款高性能的光耦合器,采用先进的光电转换技术设计,适用于各种工业和商业应用。该器件具有高隔离电压、快速响应时间和低输入电流的特点,能够在恶劣环境下稳定工作。其封装形式为DIP-4,适合通过波峰焊接工艺进行安装。
类型:光耦合器
封装:DIP-4
输入电流:1.0mA
输出电流:50mA
正向电压:1.2V
隔离电压:5000Vrms
工作温度范围:-40℃ to +85℃
存储温度范围:-65℃ to +150℃
上升时间:1μs
下降时间:1μs
ONET1131EC采用了增强型光电晶体管技术,提供了出色的电气性能和可靠性。它具备以下特点:
1. 高隔离电压确保了信号传输的安全性。
2. 超低输入电流使得该器件在弱电控制领域表现出色。
3. 快速的开关速度适应高频应用场景。
4. 宽广的工作温度范围保证了器件在极端环境下的稳定性。
5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
ONET1131EC广泛应用于需要高可靠性和高隔离度的场景中,例如固态继电器、工业自动化设备、电机驱动电路、家用电器以及电源管理模块等。特别是在噪声敏感环境中,这款光耦合器能够有效抑制电磁干扰并保护后级电路。
TOS626, HCPL7800, 6N137